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东芝推出首款2200V双碳化硅模块,降低90%损耗

论坛 2023-08-31 11:13

... 双碳化硅(SiC)MOSFET模块,标志着在高压、高功率领域的巨大 ... 功率器件。在这个背景之下,推出了业界首款2200V的SiCMOSFET ... 'quot;MG250YD2YMS3'quot;模块采用了自家研发的第三代SiCMOSFET芯片 ...

东芝2SC2712晶体管:性能强劲、应用广泛的完美选择

论坛 2024-06-12 13:21

... 音频放大应用中备受青睐的晶体管——2SC2712。它不仅性能卓越,而且 ... 参数高电压和电流处理能力:2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极 ... ,增强整体性能和稳定性。总结2SC2712晶体管凭借其高性能和广泛的 ...

介绍东芝TB62262FTAG芯片:高性能两相双极步进电机驱动器

论坛 2024-07-03 11:24

... 驱动器对于许多工程项目来说至关重要。的TB62262FTAG这款两相双极 ... 、芯片概述TB62262FTAG是一款由开发的BiCD工艺集成电路(硅单 ... 情况下不会过热。结论的TB62262FTAG芯片以其高性能、多 ...

东芝TB6600HG:释放步进电机控制的潜力

论坛 2024-07-03 11:10

... 高精度步进电机控制领域,的TB6600HGPWM斩波型双极正弦 ... 窗帘、智能家居设备等。结论的TB6600HG是步进电机控制的 ... 选项,请访问官方网站或联系当地经销商。释放TB6600HG的全部潜力 ...

Toshiba东芝TB67S109AFNAG:步进电机控制的强大解决方案

论坛 2024-07-04 13:30

... 元件来提升他们的产品设计。的TB67S109AFNAG步进电机驱动IC具备 ... 。主要特性TB67S109AFNAG是一款采用BiCD工艺设计的两相双极 ... 减少维护需求和停机时间。结论的TB67S109AFNAG是一款多功能、 ...

介绍东芝 TB67S580FNG:理想的双极步进电机控制解决方案

论坛 2024-07-08 14:36

... Alin13:​的TB67S580FNG是一款高度先进且 ... 且可靠的电机操作。为什么选择的TB67S580FNG?选择TB67S580FNG作为您的 ... 高效能耗和强大的保护功能。以其质量和创新的声誉, ... ,请访问官方网站或联系销售团队。今天就用的TB67S580FNG释放 ...

东芝TB6560AHQ/AFG步进电机驱动IC:解锁卓越的电机控制性能

论坛 2024-07-08 09:35

... 来应用于你的项目中。的TB6560AHQ/AFG步进电机驱动IC ... 耐压和电流:TB6560AHQ/AFGICs采用先进的BiCD工艺制造,确保高达 ... 实验室仪器中的精确控制。结论的TB6560AHQ/AFG步进电机驱动ICs ...

东芝 TB67S128FTG:释放精密电机控制的力量

论坛 2024-07-08 09:33

... 控制领域,精度和效率至关重要。的TB67S128FTG是一款专为先进 ... 。TB67S128FTG概述TB67S128FTG是一款采用BiCD工艺(结合双极、CMOS ... 苛刻环境中的一致性能。结论的TB67S128FTG步进电机驱动器提供了 ...

东芝第3代SiC MOSFET助于降低应用中电源损耗

论坛 2025-05-16 16:06

... 的普及和市场发展。因此,第3代SiCMOSFET具有以下特点。 ... )×Qgd宽栅源额定电压VGSS范围第3代SiCMOSFET推出电压分别为 ... ,抑制导通电阻RDS(ON)波动第3代SiCMOSFET内置与漏 ... ]。3.栅源电压VGSS范围宽第3代SiCMOSFET额定栅源电压 ...

东芝发布DFN8×8封装的650V第三代SiC MOSFETs

论坛 2025-05-22 13:50

... 功率密度日本川崎—电子设备和存储公司(简称“”)推出了四款650V ... 目前的产品相比[5],有助于减少设备中的功率损耗。将继续 ... 装配成为可能。低开关损耗。第三代碳化硅MOSFETs通过优化漂移 ...