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... 中的能量通过负载RL释放，二极管VD1正向导通，负载两端的 ... 中的作用而被称为续流二极管。 当开关S闭合时，输入 ... 电感L中储存了能力。此时二极管VD1处于反向偏置。 当S1 ... 绕组中的电压反向，二极管VD2截止，续流二极管VD1导通，存储 ...
... 电阻R限流,正半周流经二极管D,驱动线性光耦PR中的发光二极管,电压的高低变化引起发光二极管的亮度变化,光敏电阻的 ... 随之变化。电源电压越高,发光二极管的亮度越大,而光敏电阻的阻值 ... 电阻R选1.1MΩ,流经光敏电阻发光二极管的电流约为0.2mA,这时光敏电阻 ...
... 碳化硅可以制造肖特基势垒二极管和 MOSFET 等器件，实现高电压 ... 硅对应物一样，具有内部体二极管。体二极管提供的主要限制之一是不希望的反向恢复行为，当二极管关断同时承载正正向电流时会 ... 。可以看出，SiC MOSFET的体二极管非常快：trr和Irr的值 ...
... 开始” 05 — 总结 该电路需要充分掌握二极管的输出特性，才能够很好 ... 文章，说明你得去学一下二极管的知识了。 该电路具有两 ...
... 远程发送器终端，肖特基二极管(D1)可保护发送器免受反向电流 ... 在输入端放置一个齐纳二极管或TVS (D2)二极管可提供进一步的保护， ... ，可以使用发送器前面的TVS二极管D2轻松地实现保护，以限制 ... 型稳压器可以用MOSFET取代续流二极管，从而提高效率。同步降压转换 ...
... 。 将上图中的S2代替为二极管也可以起到降压作用，然而效率 ... 地，也可以把S4代替为二极管，依然实现升压结构。 总而言之， ...
... 耐受高压能力下降,HVP一16T高压二极管就会炸裂损坏,高温又使 ... 整流板元器件性能要求比较高,高压二极管两端的高压电线使用的是普通 ... )针对电路控制中HVP一16T高压二极管耐高压能力差的问题,将原来电路控制单元中的高压二极管改为HVP一16型高压整流 ...
... 最常见解决方案就是使用续流二极管。在本电路中，当开关闭合时，二极管被反向偏置且不导电。 ... 通过电感的负电源电压会使二极管正向偏置，从而通过引导电流通过二极管的方式使存储能量衰减，直至 ... 多个输出通道的应用，该二极管通常尺寸很大，会导致成本 ...
... 和 ESD 保护之间做出选择。半导体二极管具有许多理想的特性，例如低 ... 电容。 最近，制造商推出了基于二极管的保护器件，其电容非常低 ... 该器件包括四个高级 ESD 保护二极管结构，采用无引线小型 DFN2510A-10 ... .29 pF 线路电容的特殊二极管配置保护。二极管采用回弹结构，以便为 ...
... 无源元件(如电阻器、电容器和二极管)实现的接口电路连接到 MCU。 ... 电容 C2 分流 ESD 和瞬态能量;二极管 D1 阻断高压;电阻器 R4 设置开关处 ... 电阻器，以及用于每个开关输入的二极管、电阻器和电容器。这使得整体 ... 电阻器、25 个电容器、24 个二极管和两个外部晶体管。使用 TI ...
