找到约 1493 条相关结果
... 保护二极管的状态是：上面的二极管导通，下面的保护二极管截止。因为二极管 ... 最高为(VDD_FT+0.7)v所以只要二极管不坏，就不可能是电压 ... 保护二极管的状态是：上面的二极管截止，下面的保护二极管导通。因为二极管 ... 如果使用的单片机内部没有上下保护二极管，则需要自己外接两个 ...
... 在进行设计时提供思路。1.二极管电平转换方案用于单向信号传输。利用二极管的单向导通特性，信号输入 ... 为0V低电平时，二极管负极电平小于正极，二极管导通，输出端 ... 仿真参考如下：由波形可知，二极管的相关寄生参数将影响信号波形 ...
... 或双向信号线路保护；单向TVS二极管通常用于直流线路保护。重复性：部分TVS二极管能够承受多次瞬态电压冲击 ... 保护：在电源输入端使用TVS二极管，保护电路免受电网电压突变和 ... 电子：汽车电子设备中使用TVS二极管，保护系统免受发动机点火、电池 ...
... 意味着快恢复桥损坏。2.通过二极管功能测试判断快恢复桥内部由多个快恢复二极管组成，这些二极管的特性直接决定了快 ... 可以通过万用表的二极管测试功能逐个测试这些二极管的工作状态。测试 ... 多种测试方法，包括电压测量、二极管测试、开关特性测试、温度监测 ...
... SW1闭合后，电压5V-In通过二极管D1成为电压4.7V-Out。因为 ... 导致能量损失。VCC断电时：二极管D1截止：当VCC断电时， ... 也在充电。VCC断电时：二极管D2截止，因为VCC不再提供电压 ... 大约VCC-Vd-Vbe（其中Vd是二极管D2的正向导通压降， ...
... ：由于制造公差、温度漂移、二极管特性差异等原因，并联的整流 ... 过热问题。反向电流和二极管参数匹配：每个二极管都有其额定的反向 ... 使用具有低正向压降的二极管：为了减小二极管之间的电压差异，可以选择具有相同正向压降特性的二极管。这样可以有效减小电压差异， ...
... 高压MOSFET和高压SiC肖特基二极管的产品化成为可能。02开通电 ... 电流在SiCMOS和SiC肖特基二极管换流时，MOSFET的开通电流 ... ，可以观察到在MOSFET开通（二极管关断）期间有类似于反向 ... 电感Lq约为13nH，所选二极管的寄生电感Ld约为6.5nH ...
... ，则可使用晶体管的基极-发射极二极管将栅极电压钳制在VBIAS+VBE和 ... 驱动器不需要使用任何肖特基二极管来实现反向电流保护。3.MOSFETTotem ... ，使用BAS40肖特基反向并联二极管大约为300mA。因此，随着栅 ... 的双极Totem-Pole驱动器，其中二极管替代了NPN上拉晶体管。与 ...
... 或800V。✅在输入端并联TVS二极管或MOV压敏电阻，以吸收 ... 温急剧升高，超过极限温度时二极管会损坏。PCB散热设计不良， ... ✅控制开关频率，防止MOSFET与整流二极管同时导通，避免瞬时大电流 ... 建议使用低trr的快恢复整流二极管或SiC整流桥，并配合RC ...
... ，结合MOSFET开关、肖特基二极管、NTC热敏电阻和LED指示灯，支持 ... 灵活性。英飞凌-AN78920：使用二极管的PSoC1温度测量-应用笔记-版本04 ... 开发人员提供参考。PSoC®1使用二极管进行温度测量AN78920提出了基于PSoC ...
