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... 器(TVS)基本上是用于ESD保护的二极管。编辑图2：多层陶瓷 ... 电容甚至更高，远超TVS二极管。不同ESD保护选项比较由于这 ... 下降。相比之下，基于半导体的TVS二极管的性能在温度超过+25℃时就 ... 取代两个独立的元件（TVS二极管和MLCC电容器），从而节省了 ...
... 器(TVS)基本上是用于ESD保护的二极管。图2：多层陶瓷压 ... 电容甚至更高，远超TVS二极管。不同ESD保护选项比较由于这 ... 下降。相比之下，基于半导体的TVS二极管的性能在温度超过+25℃时就 ... 取代两个独立的元件（TVS二极管和MLCC电容器），从而节省了 ...
... 器(TVS)基本上是用于ESD保护的二极管。图2：多层陶瓷压 ... 电容甚至更高，远超TVS二极管。不同ESD保护选项比较由于这 ... 下降。相比之下，基于半导体的TVS二极管的性能在温度超过+25℃时就 ... 取代两个独立的元件（TVS二极管和MLCC电容器），从而节省了 ...
... 器(TVS)基本上是用于ESD保护的二极管。图2：多层陶瓷压 ... 电容甚至更高，远超TVS二极管。不同ESD保护选项比较由于这 ... 下降。相比之下，基于半导体的TVS二极管的性能在温度超过+25℃时就 ... 取代两个独立的元件（TVS二极管和MLCC电容器），从而节省了 ...
... 器(TVS)基本上是用于ESD保护的二极管。图2：多层陶瓷压 ... 电容甚至更高，远超TVS二极管。不同ESD保护选项比较由于这 ... 下降。相比之下，基于半导体的TVS二极管的性能在温度超过+25℃时就 ... 取代两个独立的元件（TVS二极管和MLCC电容器），从而节省了 ...
... .IGBT开关是由IGBT和续流二极管构成，而每一个模块往往有 ... IGBT开关构成，每个开关由IGBT+二极管构成。对于每种封装，模块 ... 散热器的热阻0.05K/W和二极管壳到散热器的热阻0.075K ... 我们需要想办法得到每个IGBT和二极管芯片或芯片组壳到散热器的热 ...
... IGBT开关构成，每个开关由IGBT+二极管构成。对于每种封装，模块 ... 散热器的热阻0.05K/W和二极管壳到散热器的热阻0.075K ... .005K/W。定义和计算IGBT和二极管壳对散热器的热阻在热 ... 我们需要想办法得到每个IGBT和二极管芯片或芯片组壳到散热器的热 ...
... 空心不带蓝色的)肖特基二极管(1N5819)从法拉电容向单片机VCC ... 小于0.15MA).47K电阻和470欧姆二极管1N4148一道构成嵌位电路,保证基极 ... 0.65V左右(可这样计算0.6(二极管导通电压)+5*0.47/47),这样 ... .造成单片机口线功能紊乱.2.利用二极管单向供电特性,防止掉电后单片机 ...
... 不足以拉低IO口。D1ESD二极管：静电保护二极管，防止静电干扰或者损坏 ... 作用。(个人建议加上)D2ESD二极管：静电保护二极管，防止静电干扰或者损坏IO ... 实现电气隔离。D51N4148：续流二极管，保护元件不被感应电压击 ... 负载不需要加续流二极管，芯片内部设计有二极管，只需COM口 ...
... 整流桥、NMOS和PMOS。二极管串联利用二极管的单向导电性，整流桥则 ... 正负极的保护。1、二极管串联：利用二极管的单向导电性（正向导 ... ，在正电源输出端串联一个二极管进行正常导通，如果电源接 ... 电流路径会被MOS管的寄生二极管给反向截止，GS由于没有了 ...
