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... 先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够让设计人员和工程师前所未有 ... ™7产品系列下，拥有快速体二极管的器件通过在产品名称中包含 ... 下的所有产品都拥有快速体二极管（无论导通电阻（RDS(on ... 一次重大进展。集成快速体二极管、先进芯片焊接技术以及创新封装 ...
... TVS，瞬态抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管，是目前国际上 ... 轴不是这样。VBR：TVS二极管最小击穿电压。也就是在 ... 满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触 ... 1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也 ...
... 串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。抑制干扰源的常用措施 ... （1）继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作 ... 在继电器线圈间并一104和二极管，在触点和常开端间接 ...
... 或其他保护电路（如续流二极管）来耗散。图1带续流二极管和预充电路的典型双向电池 ... 电路可以正常工作。电路里的二极管DR也是电池反接保护管 ... MOSFET源极为参考点3取代TVS二极管用作过压钳位保护通过TVS二极管吸收电感能量遇到的挑战是它 ...
... 集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对 ... 集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对 ... 的重要干扰源。（3）整流二极管整流二极管的EMI来源集中体现在反向 ... 磁偶极子理论进行分析；二极管、电容、功率开关管可以假设 ...
... 或其他保护电路（如续流二极管）来耗散。图1带续流二极管和预充电路的典型双向电池 ... 电路可以正常工作。电路里的二极管DR也是电池反接保护管 ... MOSFET源极为参考点3取代TVS二极管用作过压钳位保护通过TVS二极管吸收电感能量遇到的挑战是它 ...
... 。A1和D1组成一个“有源二极管”，当A1的非反相输入高于二极管的输出电压(从而高于反相输入 ... 绝不能高于A1的VDD之下的二极管压降，这就限制了有效 ... 在正倍增器中使用额外的二极管(图3中的D6)来保证这 ... 3中。PIC的引脚保护二极管的额定电流为25mA，在任何 ...
... R4,三极管Q2的eb极电阻R5,二极管D1以及开关S1，流向GND， ... 三步，单片机IO1的电经二极管D2,开关S1流向GND,此时单片机会 ... 为MCU工作时供电主力开关，二极管D1的主要作用是防止自锁 ... 电经过电阻R4，电阻R5，二极管D1,进入单片机，造成功耗浪费。 ...
... 光耦由发光二极管（LED）和光敏二极管（光电二极管或光电晶体管） ... 为光信号，再经过光敏二极管感应并转换为输出信号，实现 ... 原理的隔离器件，由发光二极管和光敏二极管组成，通过将输入信号 ...
... 或其他保护电路（如续流二极管）来耗散。图1带续流二极管和预充电路的典型双向电池 ... 电路可以正常工作。电路里的二极管DR也是电池反接保护管 ... MOSFET源极为参考点3取代TVS二极管用作过压钳位保护通过TVS二极管吸收电感能量遇到的挑战是它 ...
