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... 输入端口被齐纳二极管保护的情况。这些二极管 应该尽可能靠近静电放电 ... 用于保护负载端口的齐纳二极管 其它用于静电放电保护的器件包括 ... 下图所示：▲ 图6.2 TVS二极管及其内部等效电路 在USB， 局域网， ... 其他数字接口中，通常使用TVS二极管来保护PCB内部集成电路免受 接口ESD ...
... 给MOS管并联一个肖特基二极管D1，如下图所示： 该肖特基二极管D1的正向导通压降约 ... 打开之前，VBAT通过肖特基二极管D1对VOUT进行供电，可以缓解 ...
... 切换的功能，竟然只需要一个二极管、一个MOS管、一个电阻！ ... 不导通状态，同时其体二极管也是反向截止。由于电阻R155 ... 电压VBAT通过MOS管Q4的体二极管后降低了约0.7V，变为 ... 打开之前，VBAT通过肖特基二极管D1对VOUT进行供电，可以缓解 ...
... 哦。 1、低压驱动掩埋光电二极管型CMOS图像传感器 CMOS图像传感器在 ... 。光入射到常规光电二极管和新型光电二极管的反射率，前者为 ... 工作时，暗电流小于50nA/cm2;二极管响应率为500mA/W;转换增益为 ... 标准BiCMOS工艺研制成功了雪崩光电二极管图像传感器(APDIS)，每个像素由 ...
... 以NMOS举例，只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。NMOS ... 极和S极之间有一个寄生二极管，方向为S到D，利用 ... 导电性以及MOS管导通时寄生二极管截止的特性，可以快速测量MOS ... 都显示1，代表MOS管寄生二极管开路损坏。4、万用表 ... 0，因为此时DS导通寄生二极管截止。5、重复第1步 ...
... 加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。 反向击穿电压 ... 反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值， ... 输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为 ... 降。 反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压 ...
... 损耗尤为突出。快速恢复二极管(FRD)或超快速恢复二极管(SRD)可以达到1.0 ... 。即使使用低压降肖特基二极管(SBD)，也会产生约0.6V ... 要求。同步整流器用于替换二极管，因此必须根据二极管的工作规律选择合适的 ... 电阻的特殊功率MOSFET来代替整流二极管，以减少整流损耗。 它可以 ...
... Drive MOSFET FCH040N65S3/FCH029N65S3，6个SiC二极管FFSH20120A/FFSH30120A，8个FRFET MOSFET NTHL040N65S3F ... 输出端用16个SiC二极管FFSH2065B/FFSH3065B。 SiC二极管能够提供卓越的开关性能 ...
... Drive MOSFET FCH040N65S3/FCH029N65S3，6个SiC二极管FFSH20120A/FFSH30120A，8个FRFET MOSFET NTHL040N65S3F ... 输出端用16个SiC二极管FFSH2065B/FFSH3065B。SiC二极管能够提供卓越的开关性能 ...
... IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起 ... 半导体器件MOSFET， IGBT或MCT 与二极管的芯片封装在一起组成一个积木 ... 一段时间。 12.砷化镓二极管 随着变换器开关频率的不断提高 ... 成功。与硅快恢复二极管相比，这种新型二极管的显著特点是：反向 ...
