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... 形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压(P端接负极， ... ，其PN结没有电流通过，二极管截止。 增强型MOS管的漏极 ... 称之为场效应管的原因。 在二极管加上正向电压(P端接正极， ... ，其PN结没有电流通过，二极管截止。 在栅极没有电压时， ...
... 新的 2kV SiC MOSFET、2kV SiC 二极管和下一代 TRENCHSTOP 1700-V IGBT7 芯片。 ... 2-kV SiC MOSFET 和 2-kV SiC 二极管，可解决这些基于 1500-VDC 的 ... 可确保快速的本征体二极管。峰值二极管恢复斜率 (dv/dt) 大于早期工艺 ...
... 3 内过渡。 当电流通过体二极管循环时，MOSFET 关闭，并且由于拮抗 MOSFET 开启，体二极管可能发生恢复。 在这种情况下 ... ，也涉及 MOSFET 结构上的物理二极管。 LLC 系统可能会遇到电容模式 ...
... 型 (D-mode) HEMT 和肖特基二极管。 在 200 毫米 GaN-on-SOI ... 泄漏电流的肖特基二极管 肖特基势垒二极管的集成进一步提高了 ... 同时将漏电流降低几个数量级二极管。 快速开关和高电压 GaN ...
... 制作出 1200V 以上的高耐压二极管（Si SBD 的最高耐压 为 ... 主流使用的快速 PN 结二极管（FRD：快速恢复二极管）替换为 SiC SBD ... Si 的快速 PN 结二极管（FRD：快速恢复二极管）在从正向偏置 ... 的耐性，因此对于没有旁路二极管的 PFC 电路也可以使用。 图 ...
... ;AC /2 时，电容器 C1 在二极管 D1 导通时充电（数字 1 ... ：电压倍增器使用具有级联二极管和电容器的交流 (AC) 电压 从电路 ... ，增量等于 V AC（忽略二极管压降）。上部电容器充当电荷 ... 其峰峰值输入电压减去两个二极管压降，即 V C2 ...
... 涌保护选择瞬态电压抑制 (TVS) 二极管时面临的主要挑战。 在工厂 ... 用于信号 I/O 保护的传统 TVS 二极管占据，这在 SMA 行业中占用 ... 市场上的传统 SMA 和 SMB TVS 二极管相比，TVS3300可提供高达 30% 的 ...
... 桥式整流器和PFC FET以及升压二极管。然而，这种拓扑结构必须 ... ”(TPPFC)，图1(右)，其中升压二极管被同步整流器取代，使升压晶体管和升压二极管Q1和Q2的功能可互换， ... 平衡。 动态损耗源于当其体二极管在开关“死区”时间内导通时 ...
... 端之间接入两个反向并联二极管(两个二极管方向相反)做限幅保护， ... 、C2及UR的值确定。 二极管的作用是为电容快速放电， ... 输出12V，同时12V经过两个二极管加12-1.4=10.6V给A1 ... .8=1.2V，小于二极管的死区电压，所以二极管不能导通。 波形 ...
... ，使用650V/10A碳化硅肖特基二极管，可以帮助客户实现满载效率大于 ... 碳化硅器件制造成本高昂。目前碳化硅二极管、MOSFET的成本大概是同类硅 ... ，功率器件种类多样，主要包括二极管、MOSFET、IGBT等，分别适用 ... 但是目前，碳化硅器件市场还以二极管为主，MOSFET尚未大规模推广，IGBT ...
