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... 同步BUCK两种，下图中使用二极管D1的是非同步BUCK，如果把 ... 测量，Vsw会有一个恒定的二极管导通电压，即-0.7V。 ... 是通过MOS的体二极管进行放电的，MOS体二极管的原理请搜索文章 ... 路径为电感->负载->MOS（二极管被MOS短路），MOS的导 ...
... 断，因此不存在CCM 模式的二极管反向恢复的问题。此外，同 ... Vor（即nVo）、次级整流二极管承受的最大电压VD 以及MOS ... 以下）时，钳位二极管可采用慢恢复二极管，如1N4007；反之，则需要使用快恢复二极管。11. Step11：补偿电路设计开关 ...
... CMOS器件建模，MOS开关、MOS二极管、有源电阻、电流阱和 ... 技术完成模拟电路设计。 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线 ...
... D极负载是电感加续流二极管，工作模式和DC-DC BUCK一样 ... 电感电流时，一部分电流会流过二极管，二极管DF仍是导通状态， ... ，MOS管D极电压不再被二极管DF钳位，DF处于反向截止 ... 和电感电流一样时，续流二极管反向截止，t2~t3时间段，Vgs ...
... 同相。D1为整流二极管，D2为续流二极管，R1、C1、 ... Q1导通，光耦OT1发光二极管发光，光电三极管导通，UC3842 ... 电流流过，光电耦合器的发光二极管发光，从而使光电耦合器的 ... 施放能量。D1是启动二极管。D2是PFC整流二极管，C6、C7滤波 ...
... 管的寄生二极管或外加续流二极管VD1,VD2:电源次级高频整流二极管TR：移 ... 电阻无穷小；开关管的体二极管或者外部的二极管也为理想元件，其 ... 回来的电感LS`（因为此时次级二极管VD1是导通的），即 ... 根据变压器的同名端关系，次级二极管VD1导通，VD2关断， ...
... MOSFET的少数载流子复合（即体二极管反向恢复）的问题。图4 ... 反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题。其次硅MOSFET ... 参数小等特点，另外其体二极管特性也比硅MOSFET大为提升。 ... 耐压MOSFET CoolSiC与目前业界体二极管性能最好的硅材料功率MOSFET CoolMOS ...
... 的VCC、输出Lo的保护ESD二极管，DH1、DH2、DH3为上 ... 发生损坏，由IC内部DH1保护二极管的最大功率决定。在一些设计 ... 由于RSW串联在D1以及其他保护二极管回路中，就可以进一步的减小流过D1以及其他保护二极管的电流，从而避免发出过流 ...
... 1a 所 示，当采用一个隔离二极管将备份电压电源与非关键的电路 ... 。图 1. (a) 和 (b)。隔离二极管在备份系统原理图中的位置 ... V 电压到达 LTC3643，将 Q1 体二极管旁路。最后，Q2 的栅极 ... 关断，由 Q1 的体二极管发挥隔离二极管的作用，从而使负载与 ...
... 内稳定。这使得SiC MOSFET和二极管成为高温应用的更高效选择。 ... 损耗并产生电磁干扰(EMI)。SiC二极管的优点是几乎没有反向恢复电流 ... 通时会增加集电极电流，因此SiC二极管会减小流过IGBT的峰值电流， ... 适用于广泛应用。我们的SiC二极管有650 V、1200 V及1700 ...
