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... 的MOSFET可以减小导通功耗。开关频率：如果您的应用中需要高开关频率，确保选择的MOSFET具有较 ... 电源效率。动态特性：MOSFET的开关速度和反向恢复时间等动态特性 ... 转换损耗（ConductionLoss）：MOSFET的开关速度和反向恢复时间会影响转换 ...
... ，选用PI公司InnoSwitch3-EP产品系列开关电源芯片进行设计。InnoSwitch3-EP产品系列集成初级开关、同步整流和FluxLink反馈技术的 ... 采用TL431+InnoSwitch3-EP产品系列集成初级开关的结构进行反馈控制以维持输出 ...
... 本文采用InnoSwitch3-CP产品系列集成初级开关、同步整流、FluxLink反馈和恒 ... ，选用PI公司DPA-Switch®产品系列开关电源芯片进行设计。DPA-SwitchIC产品 ... 一端连接到InnoSwitch3-CPIC(U1)内集成开关的漏极端子。由二极管D1 ...
... 直流电压源一起显示的降压型开关稳压器。[color=rgba(0,0,0,0 ... .使用LTspice进行的仿真，用于检查开关稳压器输入电压的行为。[color=rgba ... 电压源和电源线并不理想，因此开关稳压器总是需要输入电容。如果LTspice ...
... 的作用包括以下几个方面：开关控制：半桥驱动电路根据控制 ... 半桥驱动电路可以避免两个开关器件同时导通，从而防止电源 ... 驱动半桥拓扑结构中功率开关器件（通常为MOSFET或IGBT） ... 电流和短路保护电路，保护功率开关器件和驱动电路不受异常工作 ... 驱动能力，能够快速充放功率开关器件的栅极或基极电荷，提高 ...
... 高衰减率。低ESR电容器向开关电源输出平滑用电容器的应用和 ... 为电压模式的二极管整流降压型开关电源的模式图，表示输出电压被 ... 频率特性的同时进行调整。总结开关电源和高速逻辑元器件有可能成为 ... 不失为有效的选配件。此外，开关电源的输出平滑滤波器的Cout为了 ...
... 实现倾倒断电保护功能呢？倾倒开关是实现倾倒断电保护功能的重要 ... ，通常将设定好角度的倾倒开关安装在电路板上，例如设定角度 ... 恢复角度为65°，则当倾倒开关检测到电器倾倒角度超过30°时倾倒开关给出信号后，设备接收到 ... 倾斜角度恢复至65°时，倾倒开关给出信号，设备开始工作。 ...
... 1IGBT和SICMOSFET导通特性2从开关特性看，IGBT属于双极性器件 ... 差。而SiCMOSFET具有更快的开关速度，且没有拖尾电流,所以 ... 优势。图片SiCmosfet开关特性图片IGBT开关特性图2IGBT和SICMOSFET开关特性综上， ...
... 有效缓解Burst模式下潜在的硬开关和产生可闻噪声的问题； ... 电流关断（ZCS），具有开关管开关损耗小，整流管无反向 ... 才能保持增益恒定，这样会增加开关损耗，导致系统的效率降低。 ... 有可能引起原边MOSFET管硬开关、甚至会损害原边MOSFET； ... 为了解决Burst模式下潜在的硬开关和产生可闻噪声的问题， ...
... 1IGBT和SICMOSFET导通特性2从开关特性看，IGBT属于双极性器件 ... ，且没有拖尾电流,所以其开关损耗对比IGBT具明显优势。SiCmosfet开关特性IGBT开关特性图2IGBT和SICMOSFET开关特性综上， ...
