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... 电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所 ... 2500Hz，功率器件需要很高的开关频率（超过50kHz），因此SiC ... 电机驱动中，往往使用IGBT作为开关器件。那么，SiCMOSFET相对于SiIGBT ... /dt条件下，高温下SiCMOSFET总开关损耗会有50%~60%的降低， ...
... 2500Hz，功率器件需要很高的开关频率（超过50kHz），因此SiC ... 电机驱动中，往往使用IGBT作为开关器件。那么，SiCMOSFET相对于SiIGBT ... 也优于IGBT。此外，SiCMOSFET的开关损耗基本不受温度影响，而 ... /dt条件下，高温下SiCMOSFET总开关损耗会有50%~60%的降低， ...
... 2500Hz，功率器件需要很高的开关频率（超过50kHz），因此SiC ... 电机驱动中，往往使用IGBT作为开关器件。那么，SiCMOSFET相对于SiIGBT ... 也优于IGBT。此外，SiCMOSFET的开关损耗基本不受温度影响，而 ... /dt条件下，高温下SiCMOSFET总开关损耗会有50%~60%的降低， ...
... 需要零线)成为了传统机械墙壁开关的升级换代产品，实现了灯具和 ... （如声控开关，触摸开关，红外线遥控开关，人体感应开关，手机控制WIFI ... 电子常识可知，凡是电子智能照明开关本身都需要消耗一定的电流， ... 对待电流更为敏感。根据上述智能开关存在的问题，超级电容器的加入 ...
... ，29.19mJ，而Nexperia产品的开关损耗和值Etot仅为23.64mJ ... 。△图5IGBT模块在150°C的开关特性（Eon+Eoff）IGBT的折中 ... 条件下，NexperiaNP100T12P2T3的IGBT产品,其开关损耗和导通损耗均小于竞 ...
... ，29.19mJ，而Nexperia产品的开关损耗和值Etot仅为23.64mJ ... 。△图5IGBT模块在150°C的开关特性（Eon+Eoff）IGBT的折中 ... 条件下，NexperiaNP100T12P2T3的IGBT产品,其开关损耗和导通损耗均小于竞 ...
... ，其中每对开关包含一个高侧开关和一个低侧开关。这四个 ... IGBT等。通过合理地控制这些开关的导通状态，可以实现电源 ... 连接电源正极和负载，低侧开关用于连接负载和电源负极。当 ... 时，电流从负载经过低侧开关回到电源负极。通过适时地调整 ... 于直流电机的驱动。通过改变开关的导通方式，可以调节电机 ...
... 系统图.7DualBoost共模等效电路当DualBoost开关时，可以通过叠加定理方便地 ... 1500VDC系统下的40A以上MPPT，开关频率可推高至30kHz以上进一步 ... ™IGBT7H7产品兼顾了导通损耗与开关损耗，非常适合BoostMPPT的应用。 ...
... 系统图.7DualBoost共模等效电路当DualBoost开关时，可以通过叠加定理方便地 ... 1500VDC系统下的40A以上MPPT，开关频率可推高至30kHz以上进一步 ... ™IGBT7H7产品兼顾了导通损耗与开关损耗，非常适合BoostMPPT的应用。 ...
... 半导体工艺、封装技术和高频软开关的大量使用,模块电源功率密度越来越 ... 边开发相关电力电子器件，边开发开关变频技术，两者相互促进推动着 ... 高可靠、抗干扰的方向发展。开关电源可分为AC/DC和DC/DC ... 为：Is=KIf式中：Is—开关电源的额定输出电流；If—用电 ...
