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... 平稳。通过周期性地打开和关闭开关元件，DC-DC环流可以控制电流 ... ，以允许电流继续流动，当开关元件（通常是MOSFET）关闭时 ... 并联位置：续流二极管应与开关元件并联连接，通常是MOSFET的 ... 以让电流继续流动。尽量靠近开关元件：将续流二极管尽量靠近 ...
... 电压在25～500V之间的高频开关器件，因此需要在耐压方面 ... 基功率半导体器件已成为高压高频开关器件的主流解决方案。碳化硅半导体 ... 因此，它被广泛应用于高压开关和大功率电源中，电力电子器件等 ... 高频领域得到了广泛的应用。开关频率和动态范围由于碳化硅基半导体 ...
... 拓扑。常见的选择是开关电源拓扑开关稳压器（SwitchingRegulator），它们 ... 使用稳压器电路。例如线性稳压器或开关稳压器，可以进一步提高输出电压的 ... 应用的高效率电源拓扑，如开关稳压器（SwitchingRegulator），拓扑通常 ...
... 的电子迁移率与更快的开关速度有关，因为通常积聚在结 ... 电容，GaN可以实现较低的开关损耗，并且可以以比硅高 ... 硅MOSFET或IGBT的水平，且开关频率越高，这种差异越明显 ... 这反过来又导致高效率，同时减少开关损耗和功率损耗。4.作为HEMT ... 器电路中连接的电机采用最佳开关频率，这对电机设计具有重要 ...
... 带半导体材料，氮化镓具有开关速度快、导通电阻低、 ... 功率半导体器件，以增加器件的开关速度，降低导通电阻，提高 ... 如何实现更高的能效1.提高开关速度开关速度是电力电子设备中的 ... 材料可以有效增加电力电子设备的开关速度，从而降低设备的能耗， ... 有效提高能源利用效率。通过提高开关速度、降低导通电阻、提高 ...
... GaNFET的内部结构每种GaN电源开关都需要适当的栅极驱动，否则 ... 意味着与其他GaN解决方案相比，开关损耗增加了20%以上。而在 ... 意味着与其他GaN解决方案相比，开关损耗增加了20%以上。此外在 ... 使GaNFET能够在高达2.2MHz的开关频率下工作，并消除使用错误 ...
... 这类应用中，必须使用高速开关器件，因此，ROHM在推出支持高速开关的GaN器件的同时，还开发 ... BD2311NVX在降压和升压转换器1MHz开关频率下的上升时间更短， ... 缩减封装的尺寸。*3)过冲开关ON/OFF时瞬间产生超出规定值电压 ...
... 的电子迁移率和更快的开关速度。这些特性使得氮化镓 ... ，氮化镓技术主要应用于开关电源、电力转换器等领域。 ... 的导通电阻和更高的开关频率，能够提高电源的效率和 ... 。在电力领域，氮化镓开关电源已经成为许多电子设备的重要 ... 环保：氮化镓芯片具有高开关频率和低导通电阻，能够 ...
... 这类应用中，必须使用高速开关器件，因此，ROHM在推出支持高速开关的GaN器件的同时，还开发 ... BD2311NVX在降压和升压转换器1MHz开关频率下的上升时间更短， ... 上唯样商城*3）过冲开关ON/OFF时瞬间产生超出规定值电压 ...
... 低压差线性电源（LDO）和开关电源（DC-DC）。1、 ... ，如下所示:2、DC-DC开关电源DC-DC（Directcurrent-Directcurrent）转换 ... 、三极管和电容器组合而成，开关电源DC-DC为转换成输入工作 ... 或工作频率而调节输出电压。开关电源DC-DC包括三种类型： ...
