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... 压高、导通电阻低和开关速度快的优异特性，因此用 ... ，可以大大降低导通时的开关损耗。该系列产品非常适用于 ... 的器件。GaN器件具有出色的开关特性和高频特性，因而在市场 ... 通过控制栅极电压来执行ON/OFF开关动作。由于大部分功率损耗发生在 ... 大程度地激发出GaN的高速开关性能，助力应用产品实现节能和 ...
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... 压高、导通电阻低和开关速度快的优异特性，因此用 ... ，可以大大降低导通时的开关损耗。该系列产品非常适用于 ... 的器件。GaN器件具有出色的开关特性和高频特性，因而在市场 ... 通过控制栅极电压来执行ON/OFF开关动作。由于大部分功率损耗发生在 ... 大程度地激发出GaN的高速开关性能，助力应用产品实现节能和 ...
... 高频应用中成为首选。1.高速开关能力快恢复二极管的最大特点是其高速开关能力。普通整流二极管在反向恢复 ... 使得快恢复二极管非常适合用于高频开关电源和逆变器中，有助于 ... 性。快恢复二极管凭借其高速开关能力、低反向恢复电流、高 ... 元件。无论是在电源转换、高频开关电路还是复杂的工业控制系统中 ...
... (GaN)场效应晶体管(FET)可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性 ... 和控制算法，例如零电压开关、零电流开关或采用混合磁滞控制 ... 如前所述，实现更高的开关频率可减小开关转换器中磁性元件的尺寸 ...
... 半导体器件，融合了MOSFET的快速开关能力、高频操作、高输入阻抗 ... 对IGBT的驱动至关重要。RG影响开关损耗，主要与输入电容充放电的 ... 3.驱动电源的要求：IGBT的开关过程会消耗来自驱动电源的一定 ... +15V），以确保IGBT的顺畅开关。该电路包含过电流保护机制 ...
... 为系统额定电压（线电压），开关频率为fs，系统时钟为fc ... 电机电流关系得出。每次桥臂开关状态有变化时，会在shunt ... 表1。T4,T5及T6的开关状态与T1,T2及T3互补。 ... 这个时间。定义‘TRise’：任一管子开关后，ADC通道上的输入信号 ...
... 半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组 ... 具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件 ... 碳化硅MOSFET技术，非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS ... 驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来最高效率，从而可以 ...
... 关键的难点：效率提升：减少开关损耗和导通损耗，以提高 ... 。电磁兼容性（EMC）：抑制开关噪声和电磁干扰，确保系统符合 ... 的元器件，如电容、电感和开关管。设计冗余和保护电路 ... 使用隔离变压器。软开关技术应用：利用零电压开关（ZVS）或零电流开关（ZCS）技术，减少开关损耗。设计复杂度 ...
... 为什么要串联这个电阻呢？在开关状态下，通常解释就是为了防止MOSFET在开关过程中会产生震荡波形，因为这会增加MOSFET开关损耗，不仅如此，如果震荡过大 ... Cgd,Cge会形成谐振电路：对开关驱动信号中的高频谐波分量产生 ...
