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浅谈LDO之定义和基本原理

论坛 2025-04-30 17:45

... “低压差”,指的是输入电压与输出电压之间的差值较小; ... 稳定维持在我们所需的固定电压值。最常见的LDO就是AMS1117 ... 取样电阻,以及调整元件;基准参考电压源(VREF)作用:提供一个 ... 误差放大器之间的“桥梁”,将输出电压的变化信息传递给误差放大器, ...

[电子元器件] 如何选择合适的电源芯片

论坛 2025-06-07 11:57

... 上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正 ... 为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV。LDO线性稳压器的 ... 同时噪音较低。如果输入电压和输出电压不是很接近,就要考虑 ... 可以使用LDO的稳压器(优点是输出电压的ripple很小)。否则最好用 ...

如何选择合适的电源芯片

论坛 2025-06-07 09:00

... 上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正 ... 为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV。LDO线性稳压器的 ... 同时噪音较低。如果输入电压和输出电压不是很接近,就要考虑 ... 可以使用LDO的稳压器(优点是输出电压的ripple很小)。否则最好用 ...

TVS管与压敏电阻器的选型比较

论坛 2025-06-03 13:16

... 电阻器(Varistor)都是常见的电压保护元件,用于保护电路免受瞬 ... 极快,适用于短时大幅度的电压冲击。压敏电阻器(Varistor) ... TVS管有不同的钳位电压和击穿电压范围,可以根据需求选择适合 ... 持续时间等)保护电压要求(击穿电压与钳位电压)选择压敏电阻器 ...

英飞凌 | 驱动电路设计(四)---驱动器的自举电源综述

论坛 2025-06-19 10:51

... 自举二极管VDb要承受直流母线电压。为了驱动VT1,电容器C1相应 ... 电路的损耗,必须考虑驱动器内部电压降以及自举二极管VDb和电阻 ... 低而导致开通损耗增加(因为电压UCEsat增加)。●上下驱动器的供电 ... 这样导致上桥臂的IGBTVT1驱动电压总是要比下桥臂VT2要 ...

理想二极管的方案

论坛 2025-06-20 18:31

... 温度升高急剧增加。例如,额定电压为60V的肖特基二极管STPS20M60S ... 电池极性反转时,栅源电压变为正电压,并将MOSFET关断, ... 反极性期间,在栅源电压变为正电压而导致输入开始变为负时 ... 开始变为负后,由于栅源电压开始低于MOSFETVth并变为负,MOSFET ...

电机的续流二极管设计

论坛 2025-06-25 19:32

... yiyigirl2014:设计关键参数与步骤额定反向电压(VRRM或V_R)这是最重要的 ... :V_R'gt;=V_max+V_ring+MarginV_max:电源电压的最大值(包括纹波 ... ;'gt;I_peak_max)选择二极管类型:根据电压、频率和成本,在肖特 ...

转载:驱动电路设计(十)——栅极电荷和应用

论坛 2025-06-30 19:18

... 比如,集电极-发射极电压由近似直流母线电压UDC降为饱和电压UCEsat。4、IGBT一旦进入饱和,此时的电压为饱和电压UCEsat,dUCE/dt会下降到 ... 脚相同。在此阶段,电源电压VCC2-VEE2在内部栅极电阻RDS,source ... 晶体管的总栅极荷QGtot、供电电压VVCC2–VVEE2、开关频率fS及外部 ...

功率器件工程师必备:MOS管开通关断过程剖析解密

论坛 2025-07-18 14:39

... Id;红色波形为MOS管M1VDS两端电压;蓝色波形为MOS管M1VGS两端 ... 时刻,栅极继续充电至米勒平台电压(Vgp=Vth+Id/gfs),期间 ... 而在t3时刻之后,VGS电压达到驱动电压的最高值。MOS管M1 ... 时间。t5时刻,Vgs电压下降至Vgp电压(米勒平台电压)MOS管开始 ...

功率器件工程师必备:MOS管开关关断过程剖析解密

论坛 2025-07-17 22:11

... Id;红色波形为MOS管M1VDS两端电压;蓝色波形为MOS管M1VGS两端 ... 时刻,栅极继续充电至米勒平台电压(Vgp=Vth+Id/gfs),期间 ... 而在t3时刻之后,VGS电压达到驱动电压的最高值。二、MOS ... 时间。t5时刻,Vgs电压下降至Vgp电压(米勒平台电压)MOS管开始 ...