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... 如何能够去掉LDO中片外大电容来提高芯片集成度也受到了很多 ... 关注和研究。因此无片外电容LDO的研究是极具现实意义 ... 瞬态响应特性的无片外电容LDO，其输入电压范围为3 ... ，本文讨论和分析了无片外电容LDO稳定性和瞬态响应问题，介绍了目前无片外电容LDO的稳定性设计技术和瞬态 ...
... 芯片，需要r量级的大输出电容，目前的集成电路工艺要集成uF量级的电容需要非常大的面积，难于实现 ... 特定应用要求，分析了片上电容LDO在稳定性、瞬态响应特性 ... ，输出电压为2.8V，输出电容为100pF，可输出最大50mA ... 仿真结果显示所提出的片上电容LDO较高的稳定性、较好 ...
本文提出了一个无片外电容的LDO线性稳压器的结构的解决 ... 所使用的较大的片外电容，减小了板上面积及成本 ... 本文的设计重点在于去掉片外电容之后，解决电路在全负载范围 ... 效率。本文着眼于无片外电容LD0线性稳压器的设计，在设计 ... 面积，研究成果对无片外电容LDO的电路设计、版图设计有 ...
... 主要采用CMOS集成电路来实现电容测试仪的设计。电容测试仪主要由时钟振荡电路 ... 课题主要研究的是电容测试仪的精度和可靠性。电容测试仪可以测量三位 ... ，精度可达到士10%。测量电容值的精度高，成本较低 ...
电容式触摸设置，通过电容变化点亮LED原理图 源码电容式触摸设置，通过电容变化点亮LED原理图 源码
... 安装距离。容值最小的电容，有最高的谐振频率，去 ... ，所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。下面 的图 ... 位置的例子。本例中的电容等级大致遵循10倍等级关系。 ... 耦。如果把上图中的680pF电容都放在芯片的上部，由于存在 ...
本篇主要讲解电容的基础知识，例如各个种类的电容及其基本性能等等。我们的文章内容将由理论转为实战。我们将会大家介绍电容的制造过程，以及具体几款电容的性能、设计实例等等。最后，我们还将为大家介绍常见的电容品牌的特色。
