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... 为电压模式器件,为什么还要考虑电流呢!实际上,基本电路理论告诉 ... 阻性的负载来说,串扰电流正比于dI/dt=dV /(T¬10%-90%*R)。式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅 ... 采用措施来改善。B. 回路电流在不同层上流动的情况包括 ...
... 为电压模式器件,为什么还要考虑电流呢?实际上,基本电路理论告诉 ... 如果S1端输出高电平,整个电流回路是电源经导线接到VCC电源 ... 阻性的负载来说,串扰电流正比于:dI/dt=dV/(T¬10%-90%*R)式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅 ...
... 为负载供电。电感电流线性下降,电流流过二极管,电流回路如图中的 ... (AVG))的乘积。PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = IMOSFET(AVG)² × RDS(ON) × D上式给 ... 计算结果为:PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = 12 × 0.1 × 0.5 = 0.050W利用 ...
... 为电压模式器件,为什么还要考虑电流呢?实际上,基本电路理论告诉 ... 如果S1端输出高电平,整个电流回路是电源经导线接到VCC电源 ... 阻性的负载来说,串扰电流正比于:dI/dt=dV/(T¬10%-90%*R)式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅 ...
... 则流过R2。通过比较电感电流在负载电流之上和之下形成的三角形状 ... 的代数计算显示:平均电感电流等于负载电流。 图8. 降压拓扑——电感 ... 。通过使用LTspice,可以看到峰值电流约为866 mA。 图16. 测量 ... 中,电感中流动的平均电流高于负载电流,使得IC选择过程与降压 ...
... 则流过R2。通过比较电感电流在负载电流之上和之下形成的三角形状 ... 的代数计算显示:平均电感电流等于负载电流。 图8. 降压拓扑——电感 ... 。通过使用LTspice,可以看到峰值电流约为866 mA。 图16. 测量 ... 中,电感中流动的平均电流高于负载电流,使得IC选择过程与降压 ...
... 维持ID电流的恒定,ID电流由沟道电流和位移电流组成。位移电流是体二极管耗尽层电流, ... 米勒平台区,电流为系统的最大电流,电流不能再增加, ... 问题24:MOSFET的电压测量时候电流是250uA,而数据表中IDSS ...
... SW电压,最下面的为电感电流。MOS管使用的是BSC059N04LS6, ... 。也就是说:L1的电流=功率电感L3的电流 C2的充电电流 随着SW节点的 ... 电压达到Vin之前,L1的电流>功率电感电流。在SW电压达到Vin时 ... 那么L1的电流=功率电感电流。而事实是L1的电流>功率电感电流。所以在 ...
... 则流过R2。 通过比较电感电流在负载电流之上和之下形成的三角形状 ... 的代数计算显示: 平均电感电流等于负载电流。 图8.降压拓扑——电感 ... 电感的电压和电流 图16.测量电感峰值电流 通过二极管的电流和电压 图17 ... 中,电感中流动的平均电流高于负载电流,使得IC选择过程与降压 ...
... 以三极管为例来说明导线中电流的控制。 我们都非常熟悉家用 ... 耗能了,同时,器件两端的电流相等了。 从使用者的角度( ... ,但是,C极电流与输入回路的电流(基极电流)不成β的比例关系 ... ,由于集电极电流与基极电流成比例关系,则集电极电流(输出回路电流)也 ...