找到约 16268 条相关结果
... 基极-发射极之间就会建立起电流。这个电流对于的工作并不重要。关键 ... 电压变化来影响大的电流。 基极电流与集电极电流成比例关系，并非真的 ... 巧合？从基极泄露出的电流与集电极电流成比例； 18. 晶体管不是 ... ]R. Feynman: http://amasci.com/feynman.html[6]电流并不流动: http://amasci.com/miscon/whyhard1.html ...
... 为电压模式器件，为什么还要考虑电流呢！实际上，基本电路理论告诉 ... 阻性的负载来说，串扰电流正比于dI/dt=dV /(T¬10%-90%*R)。式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅 ... 采用措施来改善。B. 回路电流在不同层上流动的情况包括 ...
... 为负载供电。电感电流线性下降，电流流过二极管，电流回路如图中的 ... (AVG))的乘积。PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = IMOSFET(AVG)² × RDS(ON) × D上式给 ... 计算结果为：PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = 12 × 0.1 × 0.5 = 0.050W利用 ...
... 为电压模式器件，为什么还要考虑电流呢！实际上，基本电路理论告诉 ... 阻性的负载来说，串扰电流正比于dI/dt=dV /(T¬10%-90%*R)。式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅 ... 采用措施来改善。B. 回路电流在不同层上流动的情况包括 ...
... 为电压模式器件，为什么还要考虑电流呢？实际上，基本电路理论告诉 ... 如果S1端输出高电平，整个电流回路是电源经导线接到VCC电源 ... 阻性的负载来说，串扰电流正比于：dI/dt=dV/(T¬10%-90%*R)式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅 ...
... 为负载供电。电感电流线性下降，电流流过二极管，电流回路如图中的 ... (AVG))的乘积。PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = IMOSFET(AVG)² × RDS(ON) × D上式给 ... 计算结果为：PCOND(MOSFET) (使用平均电流) = 12 × 0.1 × 0.5 = 0.050W利用 ...
... 为电压模式器件，为什么还要考虑电流呢？实际上，基本电路理论告诉 ... 如果S1端输出高电平，整个电流回路是电源经导线接到VCC电源 ... 阻性的负载来说，串扰电流正比于：dI/dt=dV/(T¬10%-90%*R)式中的dI/dt (电流变化速率)、dV(干扰源的摆幅 ...
... 则流过R2。通过比较电感电流在负载电流之上和之下形成的三角形状 ... 的代数计算显示：平均电感电流等于负载电流。 图8. 降压拓扑——电感 ... 。通过使用LTspice，可以看到峰值电流约为866 mA。 图16. 测量 ... 中，电感中流动的平均电流高于负载电流，使得IC选择过程与降压 ...
... 则流过R2。通过比较电感电流在负载电流之上和之下形成的三角形状 ... 的代数计算显示：平均电感电流等于负载电流。 图8. 降压拓扑——电感 ... 。通过使用LTspice，可以看到峰值电流约为866 mA。 图16. 测量 ... 中，电感中流动的平均电流高于负载电流，使得IC选择过程与降压 ...
... 维持ID电流的恒定，ID电流由沟道电流和位移电流组成。位移电流是体二极管耗尽层电流， ... 米勒平台区，电流为系统的最大电流，电流不能再增加， ... 问题24：MOSFET的电压测量时候电流是250uA，而数据表中IDSS ...
