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... （例如TTL和CMOS）在开关过程中会短暂地从电源吸入大 ... 到低阻抗接地层，从而将串联电感和电阻降至最低。对于高速器件 ... 器输入的电容隔离开。此外，由串联电阻和缓冲寄存器输入电容构成的 ... 10 pF的寄存器输入电容时，500 Ω串联电阻可将瞬态输出电流降 ...
... （例如TTL和CMOS）在开关过程中会短暂地从电源吸入大 ... 到低阻抗接地层，从而将串联电感和电阻降至最低。对于高速器件 ... 器输入的电容隔离开。此外，由串联电阻和缓冲寄存器输入电容构成的 ... 10 pF的寄存器输入电容时，500 Ω串联电阻可将瞬态输出电流降 ...
... 电路14PCB布线与布局注意长线传输过程中的波形畸变15PCB布线与布局 ... 滤波器需为高阻抗（大的串联电感）；对高阻抗噪声源，滤波器 ... 一般是RC串联电路，电阻一般选几K 到几十K，电容选0 ... 路和去耦电容。188电路设计在接收端放置串联的电阻和磁珠 ...
... 管关断、下管开通的过程中，上管的电流逐渐减小 ... 之间外加串联电阻 （3）增加上管源极外部串联的PCB引线电感 以前文章 ... 地端串联电阻PWM或驱动IC的地端与输入电容的地端串联电阻，同样 ... ，不包括驱动和电感的损耗。开关节点串联不同电阻，测量的VSW负 ...
... 布线与布局 注意长线传输过程中的波形畸变 15 ... 阻抗（大的串联电感）；对高阻抗 ... 电容。 188 电路设计 在接收端放置串联的电阻 ...
... 大电容值的电容器应该重复这个过程。最好从0.01 µF最小电容值 ... 或大一点儿）的具有低等效串联电阻（ESR）的电解电容器。采用 ... 0.01 µF电容器具有很低的串联电感和优良的高频性能。 电源端 ... 。 图5. 两极板间的电容。 带状电感是另外一种需要考虑的 ...
... MOSFET上，而是栅极电阻或驱动电路上。 虽然电容与栅极电压是高度 ... 最短，连线电感是不可避免的。线路电感与输入电容在驱动电压激励 ... 。 为此，一般总在MOSFET栅极串联一个电阻，对振荡阻尼在可接受 ... BJT饱和导通。 完成导通过程。如果先将 MOSFET 关断， ...
... 一充电过程是线圈L1中磁能转换成电容C1中电能的过程。电容C1充电完毕后，电容两端的电压 ... 与LC串联谐振电路之间不存在能量相互转换，只是电容C1和电感L1之间 ... ，外加的输入信号只是补充由于电阻R1消耗电能而损耗的信号能量 ...
... 下图电路所示。其中电阻也可能是电感，电容之类的器件这其中匹配 ... 参数确定。至于到底是串联电感，还是并联电容的设计过程。也是有技巧 ... 电阻线串联电感，就沿阻抗圆顺时针转动，感值大，影响越大串联电容 ... 越大串联电感或并联电容相同值对低频影响比高频小串联电容或并联电感相同值 ...
... 参数，如等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)或寄生电感。等效串联电感无法完全消除， ... 电感越大，电容充放电阻抗越大，反应时间也就越长。等效串联电阻同样不可避免，因为制作电容的材料并非超导体。 电容还存在自 ... 布线过程中，诸多因素会对去耦效果产生影响。去耦电容 ...
