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... 无法工作。 主要用于防护瞬态高压，持续的过高电压会导致 ... 钳位型器件，遇到瞬态高压时，阻抗会下降，通过大电流，瞬态高压会被抑制，但不会降为零，而是依然保持相对高压，通常是额定工作电压的2 ... 涌电流，MOV除了钳位住高压以外，还需要泄放浪涌电流 ...
... 接入电网的迫切需求。而基于高压大功率电力电子技术的灵活交流输电和高压直流输电是未来智能电网实现各种 ... 的核心技术之一。 在新一代高压大功率可关断电力电子器件中， ... 的匹配更加严格，特别是在高压大功率场合。随着电力电子技术和 ...
... 图 1：制造商 Vishay 提供的高压电容器样品范围 等等，老化是个 ... 25 mA，但我们只需要调整高压电容支持 6.25 mA。 说明一下 ... 和体积。 图 2：两个高压电容器的面积和体积比较 那么为什么 ...
... 信号，VDs1为高共模电压高压差分信号，VGs2为低共 ... 电压低压差分信号，VDS2为高压对地信号。根据信号类型， ... 高阻无源探头和有源高压差分探头的输入电阻数量级约 ... 。出于同样的原因，有源高压差分探头的信号端通常留有 ... 示。图10a为典型有源高压差分探头“共模抑制比”的 ...
... 组成：射线发生器(X射线管)、高压发生器、冷却系统、控制系统。当各部分独立时，高压发生器与射线发生器之间应采用高压电缆连接。 按照X射线机的 ... 射线发生器，其X射线管、高压发生器、冷却系统共同安装在一个 ... X射线机仅仅在开机并加上高压后才产生X射线，这就 ...
... XFCB IC的制作工艺所产生的高压三极管，对应的VCE可以高达65V ... 输出，芯片主要依靠高压半导体工艺来抵抗共模高压的。而后者则 ... 则依靠电阻网络来衰减共模高压的。 虽然在两个芯片的 ... 比如AD8210，通过内部精确匹配的高压三极管，可以提供高达 100-dB 的 ...
... 特性更好的耐高温与耐高压特性基于SiC材料的器件拥有比 ... SiC MOSFET是单极器件，即便在高压产品中，也只能通过电子工作 ... 源元件。高热导率，适合高压领域SiC材料拥有3.7W/cm/K ... 基二极管的应用范围可以推广到高压领域。与传统的硅Si IGBT ...
... 吧： 高压电机节电设备高压电机节电系统以高压变频器为基础，高压变频采用 ... / h , 能耗增加67 %。由于瞬 流高压的冲击,多余的电能转变为热能 ...
... (“光伏耦合器”)---“TLP3910”，适用于驱动高压功率MOSFET的栅极，这类MOSFET ... 在驱动栅压不低于10V的高压功率MOSFET时，需要串联两个 ... ： 隔离式SSR：用于开关的高压功率MOSFET的栅极驱动。 - 工业设备 ...
... IGBT，可以说它是MOSFET的高压改进版本，MOSFET在低压情况下 ... ，压降就越大。因此高压MOSFET通过的电流一般都不能太大。 为了解决MOSFET高压情况下电流不能太大的 ... 也降低了压降，能够在高压下通过更大的电流。 IGBT ...
