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... 硅(Strained Silicon)、45nm时代的高K金属栅极(HKMG)、22nm时代的FinFET ... 该技术由一类新型的“高K”（ Hi-K）电介质材料实现，该材料 ...
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... 计数脉冲，频率可高达几k到几十k赫兹，可用多种方式接收 ... ，脉冲频率也可达几十k，有了这两种功能， ...
... ，Intel则使用了全新的HI-K介质。相对于之前的介质，新的HI-K介质厚度仅有几个埃（ ... .1nm）；Intel将采用新HI-K介质构成的栅极称为“超级晶格 ...
... 硅(Strained Silicon)、45nm时代的高K金属栅极(HKMG)、22nm时代的FinFET ... ，该技术由一类新型的“高K”( Hi-K)电介质材料实现，该材料可以 ...
... 芯片没有实现全网通，M T K芯片没有旗舰级，魅族困境 ... 级的芯片很可能是M T K率先出；三星的全网通很 ... 的旗舰机仍然可能是M T K平台。” “虽然有 ...
