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... 低压是400V，可以不考虑。 K、联结组标号组。为了区别 ... 低压是400V，可以不考虑。 K、联结组标号组。为了区别 ...
... .4扩展不确定度 取包含因子k=2,则相对扩展不确定度为 ... .4扩展不确定度 取包含因子k=2,则相对扩展不确定度为 ...
... 就是在电解电容的顶部如果有“K”或“十”以及“T”等字形的压 ... 方法，就是看电容顶部是否有“K”或“+”字形的开槽。固态电容 ...
... 包括加工精度、自动穿丝、K法加工、表面光洁度等指标在内 ... 过切、角度加工断丝、K法加工、100%自动穿丝、 ...
... 8031 CPU与MCS-51兼容，4 K字节可编程 FLASH内存(使用寿命： ... 高性能的CMOS8位微处理器，拥有8 K可编程 Flash内存。单片机具有灵巧 ...
... -1/T0) R： 周围温度为T (K) 时的电阻值 R0： 周围温度为T0 (K) 时的电阻值 7. 最大工作 ...
... •低边散热片Rth：~0.36 K/W •高边散热片Rth：~0.22 K/W •导热膏导热率：6.0 ...
... CD4007，见附录） 三个1 kΩ电阻 一个1 MΩ电阻 一个10 kΩ电位计 一个0.1 μF电容 一个 ...
... ，其导热率高达12.0W/m-K，同时具有超低模量（ ... 不仅导热率达到了10.0W/m-K的新高度，还具备低渗 ...
