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... 压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强 ... 部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器 ... 灵活性;相同的硬件可用于驱动SiC MOSFET或IGBT模块。这减少了系统 ...
... 线路，推荐瑞森半导体超结MOSFET系列： 由原深沟槽工艺革新 ... 导通损耗。同时，超结MOSFET拥有极低的FOM值，从而 ... 线路，推荐瑞森半导体超结MOSFET系列。 为适应电源系统高效率小型化 ...
... 选型中，将STW40N95DK5 MDmesh DK5功率MOSFET用于LLC级、STPSC40H12CWL SiC二极管用于 ... 电源以次级GND为基准，为MOSFET栅极驱动器、微控制器和信号调理 ... 除了PM8834MTR栅极驱动器IC外，LLC MOSFET的栅极驱动还通过栅极驱动变压器 ...
... 意法半导体第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。采用高能效的控制器可 ... 法半导体的第三代1200V SiC MOSFET先进技术具有率先行业的工艺稳定性 ... 意法半导体第三代1200V SiC MOSFET技术，结合致瞻科技专有的 ...
... 弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V ... 。 采用英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET以及EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极 ...
... 集成了英飞凌独有的OptiMOS MOSFET以及Fast COT（快速恒定导通 ... 的POL，即集成了控制器和MOSFET的DC-DC以外，其实还有传统 ... 开始进行相关产品的研发，其MOSFET工艺也在不断地迭代升级 ...
... 被设计为限制电流并使功率MOSFET保持在安全工作区域（SOA） ... 。 为了校准红外摄像传感器，选用 MOSFET 体漏极二极管的正向电压 (VF ... 图4所示。 图4 ：MOSFET体漏极二极管的预校准 用 ...
... 15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。 凭借 ... 兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power ... 集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标 ...
... } \)。 3. **场效应管(FET)或MOSFET放大器**： - MOSFET的输入阻抗在小信号模型 ... ，该电容表现为开路，因此MOSFET的小信号输入阻抗很高， ...
... 检测的高精度遥测、针对功率 MOSFET优化的数字 SOA 控制，以及适用于n沟道功率MOSFET的集成栅极驱动器。XDP700-002 具有 ... 环SOA控制确保了更高的MOSFET可靠性，全数字工作模式更大 ...
