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... 市场上的大多数IC都使用外部MOSFET作为打开和关闭电流的开关， ... 道MOSFET的SOA图。允许MOSFET在所示线路下方运行。 图2.MOSFET的 ... 公司的MAX17523。它有两个MOSFET，可以将电流限制在150 mA ...
... 基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和 ... 开关动作下降。 本文介绍了 SB MOSFET 的特性和特性，以及为什么次 ... 增益影响时，可以观察到 SB MOSFET 的典型次线性输出特性。实验 ...
... 此类组件的最常用名称是 MOSFET。功率 MOSFET通常是 N 沟道器件， ... 。在本例中，使用的 MOSFET 模型是 IRF530，其 SPICE 模型如下 ... 实际上，这些组件利用了 BJT 和 MOSFET 技术的优势。它们允许获得低 ...
... 和沟槽 MOS 单元设计的参考 SiC MOSFET 2D 结构。 多年来，使用 MOS ... S-MOS 概念已通过在 1200V SiC MOSFET 上进行的 2D 和 3D TCAD 模拟 ... ” mqSemi 说。 仿真是在 1200V SiC MOSFET 上进行的，因为通过 R ...
... 。 1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两 ... 脉冲驱动下桥SiC MOSFET，与上桥的SiC MOSFET Body Diode进行换流 ...
... 半导体MOSFET器件中，已有包括30V N沟道MOSFET、GaN FET、功率MOSFET ... %-21%不等。 安世半导体多款MOSFET产品交期现已高达69周 当下 ... 也迎来了业绩激增。 但在MOSFET供给有限的情况下，国内本土 ...
... 发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于 ... 。 新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术， ... RDS(on) 的MOSFET。 1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小 ...
... ，推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT，将 ... 边TrenchFET®和低边SkyFET®MOSFET与集成式肖特基二极管组合 ... 中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V ...
... ，推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来 ... 桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降压转换器的 ... 应用的效率。 日前发布的双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装 ...
... 40V耐压车载用超结MOSFET（SJ-MOSFET），并在“ISPSD 2013 ... 流过冲。在低端MOSFET电流增大而高端MOSFET电流减小的过程中 ... 以上。 此次试制的功率MOSFET电流为150A，介电击穿电压 ...
