找到约 5170 条相关结果
... 典型同步整流应用中使用的 80V MOSFET 的功率损耗击穿情况。 图 ... ：在许多应用中，低电阻 MOSFET 代替整流二极管以提高效率 图 ... 。 图 4：五种不同 MOSFET 选项的功率损耗——请注意，第 ...
... 比在开关模式电源 (SMPS) 中使用 MOSFET 的情况更混乱。 遍历 SMPS ... 时间越短。这就是为什么经典 MOSFET 硅品质因数 (FOM) 为 R DS ... 典型同步整流应用中使用的 80V MOSFET 的功率损耗击穿。 图 2： ...
... 串联SCR晶闸管和串联功率MOSFET，SCR晶闸管过去也应用 ... 已经很少使用。目前，功率MOSFET由于栅极驱动电路简单，导通 ... 电源之间串联功率MOSFET，通过分立元件或集成IC控制功率MOSFET的开通和 ... 系统，如果使用P沟道功率MOSFET，放在高端直接驱动。如果 ...
... AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO ... 一个高边和一个低边MOSFET，低边MOSFET的最大导通电阻 ... 。 与单个MOSFET解决方案相比，通过将两个TrenchFET® MOSFET封装在一个 ...
... 性能和可靠性。 PolarP™ P通道功率MOSFET IXTY2P50PA -500 V、-2 A IXTY2P50PA最为 ... ” 供货情况 汽车级PolarP P通道功率MOSFET采用2500件卷带式包装。 ...
... -4-4封装的2000 V CoolSiC™MOSFET CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列适用于最高1500 ... 栅极驱动器产品组合。 供货情况 CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列现已上市。另外 ...
... 人员还用安全工作区(SOA)增强型MOSFET取代机械触点和机电继电器。 ... 。MOSFET取代继电器然而，随着MOSFET技术的发展，设计人员越来越多地使用MOSFET ... 相似。利用NexperiaSOA特性增强型的功率MOSFET技术，我们长期为PoE应用（ ...
... 状态下，通常解释就是为了防止MOSFET在开关过程中会产生震荡波形，因为这会增加MOSFET开关损耗，不仅如此，如果震荡过 ... 网上看到一个仿真试验，实验在MOSFET电路中的栅极串联电阻R3， ... 例如图中的L，它们与MOSFET的Cgd,Cge会形成谐振电路： ...
... ，分立IGBT（MOSFET）方案，我们设计采用gatedriver+IGBT(MOSFET)+比较器，其中 ... 时，我们通过软件把IGBT（MOSFET）关断，由于gatedriver传输存在 ... 导致MCU输出IGBT(MOSFET)关断不及时的导致IGBT（MOSFET）炸管风险 ...
... 性能。与之前的MOSFET型号相比，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷降低了 ... 负责人Richard Kuncic表示：“CoolMOS™ 8 SJ MOSFET拥有领先的功率密度和效率， ... ” 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列是一种“全集成MOSFET”技术，可满足工业 ...
