找到约 5170 条相关结果
... 平衡。 ALD810030 MOSFET 为四个匹配的超级电容器自动平衡 (SAB) MOSFET 通道中的 ... 特性。Advanced Linear Devices (ALD) 推出的 MOSFET 可以平衡两到四个电压差 ... 能力是一项重大突破。 ALD810030 MOSFET 采用四方封装，采用该公司的 ...
... 性能，相比第一代产品，SiC MOSFET的结温降低了25%。 此外 ... KOSTAL在其OBC平台中使用CoolSiC MOSFET KOSTAL Automobil Elektrik在其为中国OEM ...
... 的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为 ... 范围介于100mA至260A。这些低压MOSFET的工作温度范围介于-55°C至 ... °C，符合AEC-Q101标准。 高压MOSFET的漏-源击穿电压范围介于500V ...
... 分立 SiC MOSFET 的实验结果。 隔离式栅极驱动器 用于高压 SiC MOSFET 的隔离式 ... 测得，足以驱动3.3kV SiC MOSFET(GR40MT33N)。效率和 RFC 输出电压 (V ... .3kV SiC达到的最大dv/dt MOSFET 对应于 100V/ns 的安全值。相同 ...
... 小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于 ... 。 ＜术语解说＞ *1）Nch MOSFET 通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。 相比Pch MOSFET，其漏源间的 ...
... 创平台代理旗下耗尽型MOSFET、增强型MOSFET和保护器件等全线产品。 ... 、物联网等领域的耗尽型MOSFET产品有DMZ1511E、DMX1072系列，一 ... 方舟微的耗尽型MOSFET可以填补平台国产耗尽型MOSFET空白，性价比高、 ...
... 的温度下对 1200V、80mΩ SiC MOSFET 进行了压力测试，采用不同的 ... 性能和可靠性。 栅极氧化物是碳化硅 MOSFET 的关键元素，因此其可靠性极为 ... 所示，包括一个 1200V 80mΩ SiC MOSFET (DUT)、一个仅为安全原因使用 ...
... 日本京都市)的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx ... 的反向恢复时间(trr)著称的功率MOSFET。 ・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标 ... 来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来 ...
... 京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”产品阵容中又新增了“R60xxVNx ... 恢复时间（trr）著称的功率MOSFET。 ・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标 ... 来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来 ...
... 80V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3mm x 3.3mm PowerPAIR ... 简化设计。 日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装 ...
