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... 输出电压输出电流传感以及驱动到MOSFET提供同步整流。变压器的二次 ... 在连续导通工作模式下,MOSFET转动刚刚关闭之前,二级请求启动 ... 工作模式下,功率MOSFET是关断时的电压MOSFET的压降低于VSR ... 次原侧功率MOSFET的侧控制避免了任何可能性两个mosfet的交叉导 ...
... 开通,比较适合使用MOSFET。由于中小功率电源普遍使用MOSFET,因此常规的 ... 断?LLC工作在感性区域时MOSFET可以实现ZVS开通,但器件关 ... 过程,关断损耗不可避免。对于MOSFET而言,开通损耗相对关断损耗 ... ,Vin为输入电压,Cj为MOSFET的结电容,tdead为死区时间 ...
... 状态,控制片外N沟道MOSFET导通,电感电流上升,当 ... 上限时,片外N沟道MOSFET截止,电感电流下降,电感中 ... 下限时,片外N沟道MOSFET再次导通,如此循环。当 ... 过程结束,片外N沟道MOSFET保持截止状态。当BAT管脚 ... 在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作用下,用 ...
... chuanhuang于2025-3-2508:58编辑功率MOSFET是一种电压控制型器件, ... 主要利用栅极电压控制器件,如MOSFET。对于高功率应用,当今使用的最佳器件是碳化硅(SiC)MOSFET,快速导通/关断这种功率 ...
... :图片中的电路图展示了一个包含MOSFET、电感和电容的电路。问题 ... 0.5μH值的原因,以及MOSFET的控制频率。L3电感的作用 ... 滤波效果。MOSFET的控制频率MOSFET的控制频率为3MHz,这意味着MOSFET的开关 ... 高频下保持良好的滤波效果。MOSFET的控制频率为3MHz,表明电路 ...
... ,MOSFET改为使用SMT封装(TO-263)双MOSFET并联。为了保证MOSFET通 ... 极驱动部分也增加了一些提高MOSFET通断控制的处理电路。由于 ... 的降低:之前版本需考虑每个MOSFET的安装位置,而这次采用全部 ... 螺丝与PCB板压紧方式让MOSFET与散热器紧密接触。产品设计很多 ...
... 对于GND的电压(N沟通的MOSFET的S脚连接到GND上) ... 方案了,上管P沟道MOSFET通过电阻分压,然后用NPN ... 我们设计的驱动器效率不够高(MOSFET损耗较大),即:1 ... 电压较低(只有3.3V,MOSFET的导通电阻与驱动电压有 ...
... 置电荷泵驱动外部N沟道MOSFET。BuiltinchargepumpdrivesexternalN-channelMOSFET●快速响应:在电流 ... /-Q1高侧OR-ingFET控制器与外部MOSFET配合使用,当串联在电源中 ... 器在电流反向流动时迅速关闭MOSFET。ZCC5050-1/-Q1可连接5V至 ...
... 置电荷泵驱动外部N沟道MOSFET。BuiltinchargepumpdrivesexternalN-channelMOSFET●快速响应:在电流 ... /-Q1高侧OR-ingFET控制器与外部MOSFET配合使用,当串联在电源中 ... 器在电流反向流动时迅速关闭MOSFET。ZCC5050-1/-Q1可连接5V至 ...
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