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... 状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当 ... 上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中 ... 下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当 ... 过程结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。当BAT管脚 ... 在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作用下，用 ...
... 状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当 ... 上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中 ... 下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当 ... 才结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。当BAT管脚 ... 在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作用下，用 ...
... 。每个IC都包含一个高压功率MOSFET，它在一个单芯片上集成 ... 电流检测并驱动提供同步整流的MOSFET。变压器的次级分别由SRFETQ2整流 ... 连续导通模式下，功率MOSFET会在MOSFET的电压降约低于阈值 ... 绕组直接供电。在初级侧功率MOSFET导通期间，出现于次级绕组 ...
... .是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中 ... 集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一 ... 从外部的VCC流经Rpull-up，MOSFET到GND。IC内部仅需很 ... 是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中 ...
... 系统。它通过外部N沟道MOSFET实现理想的二极管整流功能，可 ... 响应能力，能够在50ns内关闭MOSFET，确保系统的稳定性和可靠性。 ... /-Q1高侧OR-ingFET控制器与外部MOSFET配合使用，当串联在电源中 ... 器在电流反向流动时迅速关闭MOSFET。ZCC5050-1/-Q1可连接5V至 ...
... 通过提供英飞凌1200VCoolSiC™MOSFET和CoolSiC™二极管、650VCoolSiC™MOSFET器件以及EiceDRIVER™系列单 ... 长期合作伙伴，英飞凌CoolSiC™MOSFET凭借其卓越性能成为功率密度优化 ... 解决方案。我们持续创新的CoolSiC™MOSFET不仅是行业标杆，更与隔离 ...
... SiCMOSFET）与传统的硅基MOSFET（如Si-MOSFET）在基本工作原理上 ... 的特殊要求(1)驱动电压要求Si-MOSFET：标准驱动电压：+10V（导 ... 可工作于200°C以上（硅MOSFET通常'lt;150°C）。但 ...
... 困惑。对管其实就是两个MOSFET合封在一起的功率模块， ... 可以直接驱动，当然还需了解MOSFET的最低导通电压（在我 ... 贴有提到过，目前市面上大多数MOSFET最低导通电压都是大于2 ... 为3.3V，可直接导通MOSFET）。若我们使用对管用作 ...
... 的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流 ... 不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流 ... 出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要 ...
... 的调整管是用P沟道MOSFET，而普通的线性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流 ... 不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流 ... 出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率，因而不需要 ...
