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... ON安森美FQPF9N90C。 超高压MOSFET-RS9N90F漏源击穿电压高达900V, ... 。 瑞森半导体超高压MOSFET-RS3N150F产品匹配: N沟道MOSFET--RS3N150F漏源击穿 ...
... 其产品组合,推出 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET,适用于更广泛的工业应用 ... 一系列应用可以从 Cree 的新型 650V MOSFET 中受益。电动汽车和数据中心 ... 硅相比,Wolfspeed 的新型 650V 碳化硅 MOSFET 可降低 75% 的开关损耗和 50 ...
... 1.英飞凌科技CoolSiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飞凌科技 ... 和流行的 Easy 模块系列。 CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 专为必须满足峰值 ...
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... 23 日,中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻 ... 噪声。 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充 ...
... 这篇文章中,我们将研究 MOSFET 用于电池保护。 每年,越来越多 ... 电池保护的警告。 因为电池保护 MOSFET 既可以完全增强并持续传导电流 ... 有时这意味着像 FemtoFET™ N 沟道 MOSFET 这样的芯片级器件是一个不错 ...
... /highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html 欲了解在线分销 ...
... 代码:IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高 ... (th)),新产品可以搭配标准的MOSFET栅极驱动器IC使用。此外,新 ... 采用D2PAK 7引脚封装的SiC MOSFET产品组合包括10款新产品, ...
... 底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计 ... 提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装,尺寸为3.3 ... 供货情况 OptiMOS™ 源极底置功率MOSFET现已开始供货,其采用PQFN 3 ...