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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology ...

文章 2023-03-23 16:52

... 种产品。 ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以 ... 网特设网页中,介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等 ... ,欢迎浏览。 第4代SiC MOSFET相关的支持资料: ・概要介绍视频 ...

RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白

文章 2022-11-18 15:36

...  ON安森美FQPF9N90C。 超高压MOSFET-RS9N90F漏源击穿电压高达900V, ... 。 瑞森半导体超高压MOSFET-RS3N150F产品匹配: N沟道MOSFET--RS3N150F漏源击穿 ...

用于新一代电动汽车的 SiC MOSFET功率器件介绍

文章 2022-11-12 11:15

... 其产品组合,推出 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET,适用于更广泛的工业应用 ... 一系列应用可以从 Cree 的新型 650V MOSFET 中受益。电动汽车和数据中心 ... 硅相比,Wolfspeed 的新型 650V 碳化硅 MOSFET 可降低 75% 的开关损耗和 50 ...

英飞凌发布新型 CoolSiC MOSFET,Diodes的大电流肖特基整流器

文章 2022-09-21 10:20

... 1.英飞凌科技CoolSiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飞凌科技 ... 和流行的 Easy 模块系列。 CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 专为必须满足峰值 ...

用于下一代电动汽车的 SiC MOSFET

文章 2022-07-06 10:10

... 其产品组合,推出 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET,适用于更广泛的工业应用 ... 一系列应用可以从 Cree 的新型 650V MOSFET 中受益。电动汽车和数据中心 ... 硅相比,Wolfspeed 的新型 650V 碳化硅 MOSFET 可降低 75% 的开关损耗和 50 ...

意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管,具备更好的节能降噪特性

文章 2022-06-23 18:58

... 23 日,中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻 ... 噪声。 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充 ...

在电池保护应用中如何选择 MOSFET器件

文章 2022-05-13 15:15

... 这篇文章中,我们将研究 MOSFET 用于电池保护。 每年,越来越多 ... 电池保护的警告。 因为电池保护 MOSFET 既可以完全增强并持续传导电流 ... 有时这意味着像 FemtoFET™ N 沟道 MOSFET 这样的芯片级器件是一个不错 ...

东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

文章 2022-04-04 14:35

... /highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html  欲了解在线分销 ...

... 推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET,进一步降低应用损耗并提高可靠性

文章 2022-03-31 18:12

... 代码:IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高 ... (th)),新产品可以搭配标准的MOSFET栅极驱动器IC使用。此外,新 ... 采用D2PAK 7引脚封装的SiC MOSFET产品组合包括10款新产品, ...

英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

文章 2022-02-15 16:17

... 底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计 ... 提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装,尺寸为3.3 ... 供货情况 OptiMOS™ 源极底置功率MOSFET现已开始供货,其采用PQFN 3 ...