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... 计算接合线的电流限制值。功率MOSFET源极管脚的铜皮(内部 ... 具有最高的电流密度,因此功率MOSFET晶元的表面也是温度最高的热点。功率MOSFET的塑料壳可以传导热量,从而 ... 额定值接合线限制,以及功率MOSFET连续漏极电流额定值ID、 ...
... ,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用( ... .com/cn/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html[2] 环境温度25℃如 ...
... (高端和低端)汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多 ... 结构中,高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的 ... 电感。 新推出的LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。这 ...
... 就会调节栅极电压,以使MOSFET中的电流保持恒定。为了限制 ... 时间仍然超过故障超时期限,则MOSFET将关闭。后续行为与AUTO引 ... 温度达到热保护阈值,则MOSFET关闭。 当AUTO引脚悬空时 ... .23V后限流状态继续,则MOSFET截止。然后,后续的重启 ...
... 让小编带领大家一起学习碳化硅MOSFET器件。 罗姆的SCT3xxx xR系列 ... 具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引 ... 使用。 当小于40A 时,CoolSiCTM MOSFET 显示出近乎电阻性的特性, ...
... ,它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成,可使正负 ... )宣布,推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN,器件采用热增强型3.3 ... 发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名 ...
... 的40V至100V汽车专用MOSFET组合。新系列MOSFET适合传统内燃机(ICE)平台以及 ... 电阻(RDS(on))。此外,逻辑电平MOSFET器件简化了栅极驱动需求,同时 ... 保证。” 新系列MOSFET采用AU Gen 10.2沟道技术 ...
... modeling of the high frequency equivalent circuit of MOSFET and its technology of parameter extraction were studied ...
... 图2所示的电路使用一个MOSFET实现电池反装保护。当电池连接到电路后,MOSFET的体二极管开始导通电流。 ... ,等于Vb-Vd。其中Vd是MOSFET在给定负载情况下的体二极管 ... 出现后,MOSFET导通,并且将体二极管短路。此时MOSFET上的电压 ...
... 所以MOSFET有四种:N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET在栅 ...