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... 的两款650V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始 ... 。 标准型和高速二极管型650V功率MOSFET的Qrr比较 TK095N65Z5与TK35N65W5的IDSS ...
... -直流转换器等）。 CoolSiC MOSFET 750V QDPAK CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点 ... 了长期稳定的性能。 全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列在25°C ...
... 解决方案是门级驱动芯片+功率MOSFET的架构。对于三相无刷直流 ... 电路板上去掉6个大块头的功率MOSFET，这种优势带来的前景不言而喻。 ... 把门级驱动电路和6个功率MOSFET合二为一，完美解决了传统方案的 ... 50V耐压，5A输出电流的MOSFET和相应的驱动电路。不仅如此， ...
... 推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件 ... 一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值 ... 增长的市场需求。 RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它 ...
... ，相同规格的碳化硅基 MOSFET 尺寸仅为硅基MOSFET 的 1/10。 同时 ... 10 倍，相同规格的碳化硅基 MOSFET 总能量损耗仅为硅基 IGBT ... 增长。 一、行业典型应用 碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩 ...
... 。结果显示，噪声与MOSFET动作同步，将MOSFET的漏极和接地的 ... 为源极的TO-247MOSFET。在MOSFET切换动作时,漏极相对于源 ... 。图1——EMI测量比较——GaN与MOSFET（来源：BuroSpringett）与初次测量 ...
... 。对金属氧化层场效应管(MOSFET)来说，功耗降低可以通过降低漏 ... 功率MOS管应运而生。02.SGTMOSFETVS传统MOSFET传统MOSFET，在器件反偏承压时 ... 情况下，采用SGT技术的MOSFET比传统MOSFET的电阻会低50%甚至更 ...
... 成效。它是一项先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够 ... ，并提高功率密度。与先进MOSFET设计有关的下一步计划我们 ... ™8MOSFET。600VCoolMOS™8新一代硅基MOSFET技术的推出，推动电力电子领域 ... 飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程 ...
... 成效。它是一项先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够 ... ，并提高功率密度。与先进MOSFET设计有关的下一步计划我们 ... ™8MOSFET。600VCoolMOS™8新一代硅基MOSFET技术的推出，推动电力电子领域 ... 飞凌将采取一体化方法来推进MOSFET的设计和应用。这一旅程 ...
... 所以MOSFET有四种：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET在栅 ...
