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Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET

文章 2021-01-11 10:53

... 的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度 ... 水平。 日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装 ... 减少栅极驱动损耗。 这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作, ...

Vishay推出600 V EF系列快速体二极管MOSFET,为功率转换应用提供业界最低FOM指标

文章 2020-12-23 21:07

... 四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道 ... 乘积,即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。 Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压 ...

适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源的N沟道功率MOSFET

文章 2020-11-17 12:11

... 它可能含有的N沟道功率MOSFET,那么接下来让小编带领大家一起学习N沟道功率MOSFET。 东芝电子元件及存储装置株式会社 ... 的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和 ...

东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

文章 2020-10-19 14:20

... ”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括 ... 该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT ...

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内 ...

文章 2020-09-23 11:02

... .宣布,推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN,器件采用热增强型3.3 ... 发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名 ... 尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。 SiSS94DN适用于隔离式DC/DC ...

Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

文章 2020-08-17 11:04

... 首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP,10 V条件下导通 ... 来提高功率密度。 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二 ... 需的正向栅压。 这款MOSFET经过RG和UIS测试,符合RoHS ...

ROHM开发出600V耐压Super Junction MOSFET

文章 2023-12-07 16:52

... Super Junction MOSFET特设页面> https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet Presto意为 ... 的音乐术语。 *1)Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) ...

英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET,以更高的功率密度和效率树立行业新标准

文章 2024-03-20 15:23

... :IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得 ... (th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享,使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。 OptiMOS™ 6 200 V产品 ...

基于四个MOSFET或“H 桥”驱动的微步步进电机时电流调节

文章 2024-05-23 15:00

... 显示了电机线圈如何由四个MOSFET或“H 桥”驱动。由于线圈基本上是一个电感器,因此当 MOSFET 导通并在线圈上产生电压 ... 微步相匹配的水平时,MOSFET 被关闭,线圈上的电压被 ... 当电流衰减到一定水平时,MOSFET 再次开启并重复相同的过程以 ...

... 和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度

文章 2024-06-13 16:10

... 汽车充电器、大型家用电器等。 CoolSiC™ MOSFET 650 V G2组合1-1 该系列 ... ,开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。 供货情况 采用 ...