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... 586W不等。每个器件都将高压MOSFET、控制器和保护电路集成到同一个 ... 输出电流传感，并驱动到一个MOSFET提供同步整改。变压器的二次 ... 操作模式下，功率MOSFET关断，当电压降过时MOSFET低于大约VSR(TH ...
... 状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当 ... 上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中 ... 下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当 ... 才结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。在充电结束状态 ...
... 会通过（高边“high-side”）MOSFET连接到输入电压。在状态2 ... 或通过（低边“low-side”）MOSFET接地。如果是后一种方式 ... 上面的计算是假设各元器件（MOSFET上的导通压降，电感 ... 正向压降。R是Rs加MOSFET导通电阻，R=Rs+Rm。 ...
... 转换装置，主要利用开关器件（MOSFET/晶体管），通过周期性控制开关器件 ... 介绍MAX17502是一款集成了功率MOSFET的降压稳压器，具有广输入电压 ... 逐周期峰值限流断开高边MOSFET。六、总结经过实际上手测试 ... 。MAX17502是一款集成了功率MOSFET的降压稳压器，具有广输入电压 ...
... 状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当 ... 上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中 ... 下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当 ... 才结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。在充电结束状态 ...
... 状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当 ... 上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中 ... 下限时，片外N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当 ... 才结束，片外N沟道MOSFET保持截止状态。在充电结束状态 ...
... ;lt;6V）的转换，其功率MOSFET半桥中的上管是连接 ... 域和低压域的器件。这个MOSFET的D-S短路失效模式，是 ... 挑战，当这个同步Pre-Buck为MOSFET外置的结构时，其影响 ... ，能够检测到Pre-Buck的功率MOSFET上发生的严重故障（包括上 ...
... 工作方式。每个相位包含两个MOSFET组成的桥臂，形成了六 ... 常见的设计方案包括将两个MOSFET集成在一个模块内的二合一模块，或是将六个MOSFET集成在一起的六合一模块。 ... 在2025年推出第5代碳化硅MOSFET，并预计同年实现8英寸碳化硅 ...
... 路径。可选的开关元件（MOSFET或二极管）：在设计中， ... 简单的延时电路触发）使MOSFET导通，从而接入泄放电阻 ... 降低到安全水平后，再关闭MOSFET，断开泄放电阻，以减少 ... 放电阻及可选开关元件（MOSFET或二极管）组成。简单电路直接 ...
... ;lt;6V）的转换，其功率MOSFET半桥中的上管是连接 ... 域和低压域的器件。这个MOSFET的D-S短路失效模式，是 ... 挑战，当这个同步Pre-Buck为MOSFET外置的结构时，其影响 ... ，能够检测到Pre-Buck的功率MOSFET上发生的严重故障（包括上 ...
