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... , 以及改进方法, 对减少实际应用中MOSFET 破坏性损坏有一定意义对高频的DC/ DC 转换器, 功率MOSFET 是一个关键的器件。快速的开关可以降低开关损耗, 但是在MOSFET 漏级上dU/ dt 也变得 ... 没有正常的门极触发信号时MOSFET 开通, 这样会产生更多的功耗 ...
... 整流二极管、P沟道MOSFET和N沟道MOSFET。在今天的演示中 ... 了解N沟道和P沟道MOSFET如何处理应用中的传导损耗。本演示使用的功率MOSFET和整流二极管来自符合AEC-Q101标准 ... 汽车应用的产品组合。40V功率MOSFET采用LFPAK5x6铜夹片封装，二者 ...
... 其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合 ... 和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 ... 飞凌高级副总裁兼汽车低压MOSFET总经理Axel Hahn表示：“作为功率半导体 ...
... CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、 ... 电压下，600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷（Qg）较CFD7 ...
... 解说'gt;01.导通电阻(Ron)MOSFET启动(ON)时漏极与源极 ... 极为正的电压而导通的MOSFET。与PchMOSFET相比，由于NchMOSFET具有 ... 受欢迎。03.splitgate一种将MOSFET的栅极分为多段以有效调整 ...
... 达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬 ... 系统和电动汽车充电应用。CoolSiC™MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅 ... LLC和ZVS，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动 ...
... szt1993:查看芯源的MOSFET相关的选型发现N沟道的 ... 道的MOSFET呢？zhoupxa:P沟道MOSFET是空穴导电，N沟道MOSFET是 ... 通电阻等），P沟道MOSFET比N沟道成本要高很多 ...
... 背景下，VBsemi推出的VBGE2104N型号MOSFET应运而生。这款基于先进屏蔽栅 ... 的独特价值。VBsemi的VBGE2104N型号MOSFET凭借其高性能特性（如低导 ... 覆盖广泛，涵盖各电压硅基MOSFET、SiCMOSFET、SGTMOSFET与IGBT等等， ...
... Bowclad:如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通？Wordsworth:需要注意的是， ... 管同时导通，造成短路烧毁MOSFET。Pulitzer:如果PWM频率较高， ... 使用Break机制，防止异常情况下MOSFET直通。Uriah:STM32的高级定时器 ...
... 提高了电气性能。与之前的MOSFET型号相比，CoolMOS™8SJMOSFET的栅极电荷 ... 600VCoolMOS™8SJMOSFET系列是一种“全集成MOSFET”技术，可满足工业和消费应用 ... （WBG）产品组合。该系列MOSFET采用SMD-QDPAK、TOLL和ThinTOLL-8x8 ...
