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... 组。 600 V CoolMOS PFD7超结MOSFET集成了性能优越的反向快恢复 ... 模组的驱动设计相比，使用MOSFET可以更好地降低损耗，特别 ... 很高兴看到英飞凌领先的MOSFET技术可以帮助三星在家电产品应用 ...
... )拓扑结构，并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器 ... 设计，它采用最先进的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技术，并具备更 ... 布局，EasyPACK 2B封装内的CoolSiC MOSFET芯片实现了卓越的热传导性能 ...
... )拓扑结构，并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器 ... 设计，它采用最先进的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技术，并具备更 ... 布局，EasyPACK 2B封装内的CoolSiC MOSFET芯片实现了卓越的热传导性能 ...
... V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓 ... 通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为 ... 和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑 ...
... DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和 ... 源极线的电感，进而发挥MOSFET实现高速开关性能，抑制开关时 ... 切换损耗降低了约56%。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器 ...
... 集成的紧凑型功率模块由碳化硅(SiC)MOSFET和SiC二极管构成，将这两 ... 较于Si-IGBT，当今的SiC-MOSFET只能提供数微秒的短路耐受能力 ... 的系统。1200V模块采用SiC功率MOSFET，具有低RDS(on)和耐高温 ...
... 具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引 ... 开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统 ... 如要了解有关罗姆新型SiC-MOSFET器件和直接订购选项的更多 ...
... 系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件 ... 所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管 ...
... / OTCQX代码： IFNNY）推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装 ... 情况 首批采用SSO10T的40 V汽车MOSFET产品现已上市，分别是：IAUCN04S6N007T ...
