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... 的某些组件，例如现在的碳化硅mosFET器件。碳化硅功率器件近年来越来越广泛 ... 开发出新的新型全碳化硅2单元MOSFET模块FMF750DC-66A，额定电压为3 ... ，所有碳化硅MOSFET模块的开关损耗降低了80%至90%。 SiC-MOSFET是碳化硅 ...
... 是一款集成了上下管功率MOSFET、频率可调的同步降压开关 ... 在时钟的上升沿，高端MOSFET(HS-FET)导通并保持导通 ... 端电源开关关闭时，低端MOSFET(LS-FET)立即打开并保持开启状态 ... 形成VCOMP，该VCOMP用于控制功率MOSFET电流。工作期间，最小VCOMP ...
... 的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度 ... 水平。 日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装 ... 减少栅极驱动损耗。 这款新型MOSFET可在+175°C高温下工作， ...
... 四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道 ... 乘积，即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。 Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换，涵盖高压 ...
... 它可能含有的N沟道功率MOSFET，那么接下来让小编带领大家一起学习N沟道功率MOSFET。 东芝电子元件及存储装置株式会社 ... 的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和 ...
... ”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括 ... 该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料，与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT ...
... .宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型3.3 ... 发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名 ... 尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。 SiSS94DN适用于隔离式DC/DC ...
... through the switch theory of high voltage MOSFET,the push-pull MOSFET action sequence,and mainly parasitic parameter ...
... 工作进展十分迅猛。笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数,并通过能够 ... MOSFET单管的应用进行研究,分析了MOSFET对驱动电路的要求。最后根据MOSFET的工作原理进行应用分析,列举若干MOSFET ...
... 首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通 ... 来提高功率密度。 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二 ... 需的正向栅压。 这款MOSFET经过RG和UIS测试，符合RoHS ...
