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SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起

文章 2023-01-08 20:50

... )认证的1200V 80mohm碳化硅(SiC)MOSFET产品在上海正式发布。9月 ... 功率器件的理想选择。 虽然SiC MOSFET拥有诸多优势,但目前其 ...

... 片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET),管脚尺寸缩小60 ...

文章 2023-03-22 14:37

... V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET),该系列产品采用紧凑型8x8 ... 在这些应用中,环境条件允许MOSFET采用较低的VDS击穿电压额定 ...

老化测试有助于面对 SiC MOSFET 的不稳定性

文章 2022-12-06 11:40

... 重点介绍老化测试如何帮助评估碳化硅 MOSFET 在晶圆级的栅极阈值 ... 正如在俄亥俄州立大学进行的SiC MOSFET 可靠性研究中所做的那样, ...

电源系统设计优化秘技:单片驱动器 MOSFET(DrMOS)

文章 2022-10-21 13:42

... 解决方案,是将先进的开关MOSFET(稳压器的主要组成部分)及其相应 ... 高品质因数(FOM)顶部和底部功率MOSFET以及全面的监控保护电路集成到 ...

如何使用原厂选型工具,选择 MOSFET

文章 2022-05-13 14:20

... Web 的工具来帮助我们权衡各种 MOSFET 的成本和性能权衡。该工具 ... 。因此,重要的是 NexFET 功率 MOSFET 选择工具足够智能,以考虑共 ...

Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围

文章 2022-03-24 17:42

... )今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真 ...

... 推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC

文章 2022-02-15 11:13

... 款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新 ... 集成解决方案取代分立的控制器加MOSFET设计,节省空间、时间和成本 ...

意法半导体新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低开关 ...

文章 2021-12-07 16:16

... 上集成一个 ESD 保护二极管,将 MOSFET 的整体鲁棒性提高到人体 ... .9nC)是首批量产的 MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore网上商店现已提供免费 ...

英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

文章 2023-12-07 15:38

... 推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 ... 提升DC-DC转换率。 OptiMOS 7 功率MOSFET 该半导体产品组合包含最新的PQFN ...

... ® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

文章 2024-02-26 21:48

... n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、 ... 栅极电荷乘积,即开关应用中MOSFET关键的优值系数(FOM) ...