找到约 1215 条相关结果
... 部分设计者可能会存在没有合适的 Mosfet 模块使用，而考虑使用功率 IGBT ... 问题供设计者参考。选用 IGBT 或 Mosfet 作为功率开关本来就是一个设计工程师 ... 电压在 72V 以下， 故 IGBT 和 Mosfet 都可以选择，所以也是探讨 ...
... 解决同步整流器应用中栅极驱动对 MOSFET的要求。另外，文章中还有 ... 是在电源应用上，MOSFET本身具有阻抗特性。MOSFET漏源端的电压 ... 线性关系。这种线性关系，以 MOSFET的Rpsm表现出来，即导通 ... pn结-22mV/℃的温度系数相反，MOSFET有一个正的温度系数，约 ...
... over-current fault,the damage mechanism of SiC MOSFET is analyzed,and a new driving system with ... process of the SiC MOSFET.Based on the relation between gate voltage of SiC MOSFET and drain current ...
... more convenient and reliable MOSFET experiment teaching circuit isdesigned according to the MOSFET measuring and testing ...
... 对pnp双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片 ... 一发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp晶体管的基极 ... 的电压为0V时，首先功率MOSFET处于断路状态，pnp晶体管的基极 ... 断路状态。如上所述，IGBT和功率MOSFET一样，通过电压信号可以控制开通 ...
... 功率MOSFET作为功率开关。介绍分析了功率MOSFET并联均流特性，针对功率MOSFET特点，采用电路仿真软件NIMultisim研究影响功率MOSFET并联均流 ... ，如果散热不好，会烧坏功率MOSFET。现阶段关于电动汽车功率器件散热器 ...
... 的兼容性，可替代传统的Si MOSFET或Si IGBT。并且驱动器损耗低 ... 发布了下一代SiC MOSFET 2M0080120D，其参数优于第一代SiC MOSFET。如今，PV ... ，没有明确的证据表明使用SiC MOSFET作为硬开关DC / DC转换器替换 ...
... 纹波≤1%。 1 MOSFET的选取 在选择MOSFET时，要选择具有足够 ... 2 损耗分析及效率估算 开关MOSFET的损耗包括开关损耗Ps和导 ... ，COSS为MOSFET输出电容，查手册为1827pF；VDS(th)为MOSFET截止时 ...
... 设计中第一、二级功率放大选用MOSFET为IRF510和IRF530。最后一级功放 ... 而且需要使用直流风机对最后一级MOSFET进行散热处理。 2 脉冲功率放大器 ... 烧坏，尤其是最后一级的大功率MOSFET(MRFl57)，因此管子安装时要特别 ...
... 电机控制器中，用6个功率 MOSFET管组成电子换向器，其结构 ... 否则要烧坏管子。 6只功率MOSFET管按一定要求顺次导通， ... 换向器的 6 个 MOSFET管，由于6 个MOSFET管组成了 3个相同 ... 电源，一个是14V电源供功率MOSFET驱动用，另一个是5V电源 ...
