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东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦

文章 2021-12-07 11:30

... ”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这 ... 通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于 ...

如何正确的为电机控制选择合适的MOSFET

文章 2021-11-24 15:16

... 开始。电机控制是 30V-100V 分立式 MOSFET 的一个巨大(且快速增长) ... MCU上电误动作。 3. MOSFET选择参考条件 第一个也是最 ...

意法半导体新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低开关 ...

文章 2021-10-26 14:54

... 上集成一个 ESD 保护二极管,将 MOSFET 的整体鲁棒性提高到人体 ... .9nC)是首批量产的 MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore网上商店现已提供免费 ...

意法半导体新MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET提高能效,最大限度降低开关 ...

文章 2021-10-26 14:12

... 上集成一个 ESD 保护二极管,将 MOSFET 的整体鲁棒性提高到人体 ... .9nC)是首批量产的 MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore网上商店现已提供免费 ...

三季度报告,捷捷微电:部分MOSFET因产能上涨了50%-60%

文章 2021-10-26 14:11

... 优化过程中,前三季度内,MOSFET占比营收达28.5%, ... ,到三季度暂无涨价;在MOSFET方面,今年4月初对VDMOS、 ...

首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“,可提升电源效率4%!

文章 2021-10-11 16:58

... 给了国内首款1700V, 3Ω SiC MOSFET P3M173K0K3,该产品最大导通 ... 派恩杰PNJ方案相对普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升, ...

最全的MOSFET技术疑难盘点

文章 2021-03-29 22:41

... 另一类是绝缘栅场效应管(MOSFET)。 即使搜索“结型场效应管 ... 栅场效应管,英文简称是MOSFET,一般也简称为MOS管。 ...

开关电源芯片U6117S:内置600V 功率MOSFET

文章 2021-01-11 23:08

... 多模式控制,内置650V高压MOSFET,具有六级能效标准,优异的 ... 小于70mW 3、内置600V 功率MOSFET 4、QR-PSR控制提高工作效率 ...

快捷半导体40V PowerTrench MOSFET在动力操控应用提供更好的电力控制功能

文章 2020-09-07 09:57

... Fairchild Semiconductor) 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 产品可协助设计者应对这些挑战。 ... 损耗并最终提高整体效率。 FDB9403 MOSFET 产品作为基本的电流控制开关, ...

... 科技30V 20A双N沟道MOSFET NX7010,高性能PIN TO PIN AP20H03DF

文章 2025-03-22 10:04

... 一款30V 20A双N沟道MOSFET,它的工作原理是基于栅 ...