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... 正向导通电压决定。MOSFET的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS ... 算法，MOSFET的平均损耗可以由下式计算：PT(MOSFET) = PCOND(MOSFET) PSW(MOSFET)= [(I13 - I03 ...
... 正向导通电压决定。MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS ... 算法，MOSFET 的平均损耗可以由下式计算：PT(MOSFET) = PCOND(MOSFET) PSW(MOSFET)= [(I13 - I03 ...
... 。碳化硅 MOSFET结构及其特性碳化硅MOSFET的结构常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的结构 ... 。可以看出，碳化硅MOSFET相比相近导通电阻的硅MOSFET，反向恢复电荷 ... 图11：碳化硅MOSFET和硅MOSFET的性能对比图12：碳化硅MOSFET短路能力比较 ...
... 平板基板(Flat Baseplate)的三相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)。该模块的 ...
... 正向导通电压决定。 MOSFET 的传导损耗(PCOND(MOSFET))近似等于导通电阻RDS ... ，MOSFET 的平均损耗可以由下式计算： PT(MOSFET) = PCOND(MOSFET) + PSW(MOSFET) = [(I13 ...
... 】 MOSFET，我们这里指的是增强型 MOSFET（还有一种叫做耗尽型 MOSFET） ... 我们可以将负载放置在MOSFET和地之间。MOSFET的源极连接到驱动 ... 状态，从而最小化 MOSFET中 的功率损耗。MOSFET 驱动器，例如 LTC7004， ...
