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... 工业设备。 ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用 ... 大限度缩小PCB面积。 以前，MOSFET深受Spirito效应的影响，导致SOA ... Nexperia被广泛认为是热插拔MOSFET市场领导者。凭借这些最新的ASFET ...
... 最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS ... 压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果 ... ，米勒钳位用于限制SiC MOSFET栅极-源极电压摆动，防止开关 ...
... 最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS ... 压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果 ... ，米勒钳位用于限制SiC MOSFET栅极-源极电压摆动，防止开关 ...
... 。 现在，我们介绍一下碳化硅功率MOSFET模型的部分特性。 图2 图 ... 理念是不忽略任何电容器。 碳化硅MOSFET支持非常快的dV/dt，大约 ...
... 阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、 ... 个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其 ... 30%，从而简化设计。 新的MOSFET在175°C时完全符合AEC-Q101 ... 对于最大化性能的需求。ASFET的MOSFET参数针对特定应用进行了优化。 ...
... 组成，比如OpTIMOS™40V低电压功率MOSFET。 当代的电源系统设计需要高 ... 。 功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS(Metal Oxide ... 场效应晶体管。 OpTIMOSSD40V低电压功率MOSFET提供两种版本：标准版和 ...
... 推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source ... 。 OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和 ... 情况 OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和 ...
... 可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容， ... 电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。这就要求 ... 栅极电流足够大，能够瞬时充满MOSFET栅极电容。因此，栅极驱动就是 ...
... .3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET，以减少众多汽车 ... 整合了两个 n 信道增强模式 MOSFET，并就此配置实现了业界最低 ... /W，可以开发出比单独封装 MOSFET 功率密度更高的终端产品应用 ...
... is improved. This paper reveals the mechanism of MOSFET driving circuit, designs and calculates peripheral circuit and ...
