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... 有精确的模型，本文通过对 MOSFET的短沟道效应的研究， ... 反型饱和区 MOSFET工作情况。运用该模型可以分析 MOSFET的大、小 ... Cadence SpectreRF对一个特定工作条件下 MOSFET进行直流仿真并用 Matlab对仿真结果 ...
... of electric forklift truck into consideration, and used MOSFET as the core component of the inverter. An ... also reduced gate driving loss and improved the MOSFET resistance to noise. This design can provide a ...
... 的便携化大大加快。基于功率MOSFET的大电流控制技术已经基本成型 ... 的方法来实现测量，通过功率MOSFET并联扩大电流并恒定电流，通过 ... ，提高恒流精度。并对MOSFET并联均流进行了分析，对 ... 设计的要求，论文确定了基于MOSFET的大电流恒流充放电测量方法 ...
... 金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在静态切换的应用场合 ... 输出功率的产品设计。S7系列MOSFET应用在active bridge目的在取代原有 ... top side散热的技术，对于降低MOSFET本身温度与提高系统稳定度有 ...
... 反馈控制电路、MOSFET功率电路等组成，通过单片机控制MOSFET吸收待测电源 ... 转D/A电路、滤波电路、MOSFET功率电路、人机交互电路，选用 ... PWM，利用PWM实现D/A调节MOSFET的漏极电流和待测电源 ...
... 高频窄脉冲信号的发生，快速MOSFET管作为放电加工的主控管。可调直流供电部分通过调节MOSFET的占空比来实现电压可 ... ，体积小;加工主电路通过控制MOSFET实现纳秒级脉宽输出的 ... 精度信号源以及专用驱动芯片进行MOSFET功率放大设计，研制了一台 ...
... 根据自举工作模式原理搭建了MOSFET驱动电路，设计了自举电容 ... 半桥型拓扑电路，采用功率MOSFET并联及快恢复二极管并联方案降低系统成本，并对功率MOSFET主开关管加C缓冲电路以 ... 了硬件实验测试平台，进行了MOSFET驱动电路测试实验，系统启停 ...
... 存储器和处理器的内核电压。随着MOSFET 技术的兴起和发展，电力转换 ... 到钛金级。然而，由于MOSFET 的性能限制，以及与钛金 ... 所使用的有源开关器件为MOSFET 或IGBT 。大多数钛金级AC ... 值 [4] 。通常情况下，由于MOSFET 体二极管的缓慢反向恢复，一个 ...
... .1驱动电压对于目前的IGBT和MOSFET而言，此电压一般被限定为 ... 栅极驱动电压推荐使用值须达到MOSFET：Vs- 10V IGBT：VGo= 15 V ... 偏的静态栅源电压来维持MOSFET关断状态的方法是不可取的，主要是由于MOSFET的晶体管结构所能够承受的dv ...
... 体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动，控制 ... 型晶体管（IGBT）是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。 ... 电阻是同一耐压规格的功率 MOSFET 的1/10，而开关时间是 ...
