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... 损耗，但它们仍然明显低于硅MOSFET，并减小了变压器的尺寸。 ... 的？例如，KeepTops对于使用硅MOSFET的65W反激式适配器， ... 94%。如果用GaN器件替代硅MOSFET，在整个负载范围内可以实现 ...
... 开关具有低压硅MOSFET的栅特性。因此，现有的商业MOSFET栅极驱动器可以 ... 栅D-GaN开关。此外，硅MOSFET的栅特性是众所周知的，因此 ...
... 电压下的30nsMinimumTON■集成大电流功率MOSFET驱动器——自适应死区时间控制■超快 ... 自适应死区时间的集成大电流MOSFET栅极驱动器为优化解决方案尺寸和 ... 电压精度以及30ns的高侧功率MOSFET最小导通时间很容易获得 ...
... 是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路 ... IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经上拉电阻、MOSFET到GND。IC内部仅需很 ...
... 提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增 ... 文本文件的格式而异。*3)MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)金属-氧化物-半导体场效应晶体管 ...
... 的四个高压MOSFET/IGBT由数量更多的低电压MOSFET取代。与传统 ... 桥逆变器相比，由低压MOSFET组成的多电平逆变器具有 ...
... 。PowerIntegrations现可提供集成900V初级MOSFET的全套离线式开关电源IC ... 芯片上集成了一个≥700V的功率MOSFET、控制电路及保护电路。它 ... 通模式下，功率开关会在MOSFET两端的压降降至0V时 ...
... 电压下的30nsMinimumTON■集成大电流功率MOSFET驱动器——自适应死区时间控制■超快 ... 自适应死区时间的集成大电流MOSFET栅极驱动器为优化解决方案尺寸和 ... 电压精度以及30ns的高侧功率MOSFET最小导通时间很容易获得 ...
... 片上同时集成了一个高压功率MOSFET及其它控制及保护电路。其 ... 芯片上集成了一个≥700V的功率MOSFET、控制电路及保护电路。它 ... 每片IC都包含一个高压功率MOSFET，它在一个单芯片上集成 ...
... 电压下的30nsMinimumTON■集成大电流功率MOSFET驱动器——自适应死区时间控制■超快 ... 自适应死区时间的集成大电流MOSFET栅极驱动器为优化解决方案尺寸和 ... 电压精度以及30ns的高侧功率MOSFET最小导通时间很容易获得 ...
