找到约 1215 条相关结果
... （如晶闸管、IGBT、MOSFET 等）对电能进行变换与控制 ... 三极管、晶闸管、可控硅、MOSFET、IGBT、Cool MOS 等[4]， ... 电压控制器件，其主要代表是MOSFET、IGBT 等，这种新型器件驱动 ... 电气公司和美国无线电公司为解决MOSFET 在高压应用时导通损耗与 ...
... BipolarTransistor，简称IGBT）是在功率MOSFET的基础上发展起来的u， ... ：IGBT结构中用P’衬底代替功率MOSFET中的N’衬底，通过N*以及 ... 形成沟道，图2是标明MOSFET和PNP晶体管部分的IGBT剖面图。 ...
... 直流电机却需要三对独立的MOSFET来驱动相位。这会增加少量 ... 的PCB电路板空间。在驱动这些MOSFET时，必须注意，要避免同时 ... 顶部和底部的MOSFET，否则直通短路电流可能会损坏MOSFET。必须特别注意 ...
... 极晶体管是电流驱动器件，而 MOSFET 是电压驱动器件。图 1.1 ... 电流。图1.2 所示为 MOSFET，在栅极端子和源极端子之间施加电压时，MOSFET 在漏极中产生电流。MOSFET 的栅极是一 ...
... 位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时（如图1所示），它会在顶部MOSFET导通时检测峰值电感电流， ... 电源。但是，当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时，它不 ...
... 模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。 ... 器件和模块——包括硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化 ...
由于碳化硅（SiC）MOSFET在系统电气和体积效率方面有 ... 模块中结合了硅（Si）MOSFET的快速开关速度和在1.2kV ... 解释了如何减轻它们以实现SiC MOSFET模块的最佳性能。寄生电感和 ... 物理学的自然结果。然而，SiC MOSFET的高电压，高电流和增加 ...
... 使其成为卓越的开关。 SiC MOSFET的优点已在文献[1]中得到 ... 的潜力。讨论：成功应用SiC MOSFET的关键是需要了解器件的独特 ... ：•900V，0.12 Si超结MOSFET（SJMOSFET）英飞凌IPW90R120C3 [2 ...
... SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的 ... ，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松： ...
... 降压转换器的简化示意图。MOSFET高侧MOSFET导通和关断。没有 ... ，D是占空比，或MOSFET导通时间的百分比。图1 ... 滤波器。这种低通滤波器可以平滑MOSFET的开关动作，并产生良好， ...
