找到约 1030 条相关结果
... 电压下的30nsMinimumTON■集成大电流功率MOSFET驱动器——自适应死区时间控制■超快 ... 自适应死区时间的集成大电流MOSFET栅极驱动器为优化解决方案尺寸和 ... 电压精度以及30ns的高侧功率MOSFET最小导通时间很容易获得 ...
... 自适应死区时间的集成大电流MOSFET栅极驱动器为优化解决方案尺寸和 ... 电压精度以及30ns的高侧功率MOSFET最小导通时间很容易获得 ... 电压下的30nsMinimumTON■集成大电流功率MOSFET驱动器——自适应死区时间控制■超快 ...
... 电压下的30nsMinimumTON■集成大电流功率MOSFET驱动器——自适应死区时间控制■超快 ... 自适应死区时间的集成大电流MOSFET栅极驱动器为优化解决方案尺寸和 ... 电压精度以及30ns的高侧功率MOSFET最小导通时间很容易获得 ...
... =10V时），支持Qg≥200nC的MOSFET。传播延迟：35ns（典型值 ... 125-160℃（8级可编程）MOSFET温度：通过SPI读取6路独立 ...
... 频率高达300kHzSR驱动器可与标准MOSFET和逻辑电平MOSFET搭配使用SR驱动器支援区分 ...
... -07-2200:00期间，观看《高压MOSFET/IGBT栅极驱动原理与设计（下）》《高压MOSFET/IGBT栅极驱动原理与设计（上 ...
... :当驱动电机的开关器件（如MOSFET、IGBT）关断时，电机 ... 开关损耗：在开关管（如MOSFET）开通瞬间，如果续流二极管 ...
... 并且镀铜层要足以吸收由MOSFET在高频（通常为20kHz）下 ... 如此大的功率。您会发现MOSFET可能会变成烟花，然而这可不 ...
... 不同桥臂的两个OptiMOS™功率MOSFET进行控制。不仅如此，ISOFACE™2DIB0410F还 ... UVLO）时，安全关断所有MOSFET。图3：使用ISOFACE™2DIB0410F的 ...
