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... 芝”)推出了四款650V碳化硅(SiC)MOSFET，配备了其最新的[1]第三代碳化硅MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8×8封装， ...
... 管理系统，具有保护功能（AFE+MOSFET组合），但是不具备SOC电量 ... 集成电平转换电路，可直接驱动MOSFET；3、AFE可直接测量多 ...
... 芝”)推出了四款650V碳化硅(SiC)MOSFET，配备了其最新的[1]第三代碳化硅MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8×8封装， ...
... 300kHz-1MHz），配合低Rds(on)MOSFET（如40V/60V耐压规格） ... 与操控性。采用多相并联MOSFET架构（如40V/100A规格）， ...
... ，实现驱动控制。相比使用功率MOSFET，三极管在中小功率应用中具有 ... ，现代汽车大量采用集成电路、功率MOSFET等新器件，但三极管因其 ...
... 涌抑制不足，可采用继电器或MOSFET控制的旁路电路。电路启动 ... 延时开通电路通过延时开通MOSFET或可控硅的方式，在整流桥 ...
... 到65V，集成了90mΩ高侧MOSFET。SL3075采用峰值电流模式控制， ... 的连续输出电流・集成90mΩ高端MOSFET・低静态电流：125uA・轻负载下 ...
... 大输出功率100W（需配合外部MOSFET）。支持多口输出智能分配 ... 走线，减少EMI干扰。外部MOSFET选型需满足最大电流和效率 ...
... 高效功率输出。系统中的高压MOSFET采用小型SMD封装，拥有低RDS ... 、一个800V高耐压超级结MOSFET、一个ZVS初级反激式控制器 ...
