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... 本质是采用低导通电阻的MOSFET代替整流二极管进行整流。因此研究 ... 产品，主要由于低导通电阻MOSFET还未投入到市场以及驱动技术 ... 成熟。现在，用于同步整流的MOSFET制造工艺取得了突破性的进展， ...
... 研究的主要方面：电源转换、MOSFET的保护、电流采样和输出驱动 ... 出实际开关电源电路。MOSFET保护部分分析了MOSFET功耗来源及降低办法和 ...
... 值；恒流电路部分：利用MOSFET的电压控制电流特性实现恒流 ... 桥输出电压值，使恒流MOSFET上的压降达到最小。 ... 快速与精确，并将恒流MOSFET的功耗降到最小。文章 ...
... 压器使用全控型开关器件MOSFET,将PWM技术应用到交流调压 ... 电路和控制电路,主电路主要由MOSFET模块和电力二极管组成；控制电路 ... 脉冲信号,驱动桥式斩波器中MOSFET动作,产生正弦补偿电压使输出电压 ...
... 。该电路围绕一个P沟道MOSFET和几个NPN晶体管构建。当 ... 到达晶体管T2的基极。因此，MOSFET的栅极引脚被拉低，这允许电流流过MOSFET，并且电路板获得电源。
MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金 ... （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。 一般是金属（ ...
... 升压电路，输出电路由2个MOSFET晶体管和2个二极管组成，在 ... 而另一个MOSFET就起二极管的简单作用，在这对MOSFET晶体管中， ...
... 。IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动 ... 大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作 ...
... 在于 IGBT 是在 N 沟道功率 MOSFET 的 N 基板（漏极） ... 、栅极和源极则完全与MOSFET 相似。
... 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET基本相同， 只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道 ...
