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... )拓扑结构，并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器 ... 设计，它采用最先进的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技术，并具备更 ... 布局，EasyPACK 2B封装内的CoolSiC MOSFET芯片实现了卓越的热传导性能 ...
... V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓 ... 通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为 ... 和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑 ...
... DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和 ... 源极线的电感，进而发挥MOSFET实现高速开关性能，抑制开关时 ... 切换损耗降低了约56%。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器 ...
... 集成的紧凑型功率模块由碳化硅(SiC)MOSFET和SiC二极管构成，将这两 ... 较于Si-IGBT，当今的SiC-MOSFET只能提供数微秒的短路耐受能力 ... 的系统。1200V模块采用SiC功率MOSFET，具有低RDS(on)和耐高温 ...
... the SiC MOSFET is suggested. Based on the conventional equivalent-circuit miodcl of the SiC MOSFET,the leakage ... gate leakage current and the failure of SiC MOSFET. In addition, the suggested miodcl can beutilized to ...
摘要：介绍了一种基于功率 MOSFET的实验室用恒流电源的设计 ... 以TL494为控制核心，以功率MOSFET为控制对象的实验室用压控 ... 设计、PI控制器电路设计、功率MOSFET驱动电路等设计 1，系统总体 ...
... 的发射功率下,通过良好散热,功率MOSFET场效应管需要承受的最大 ... 从大量芯片高温检测结果来看,功率MOSFET场效应管APT14M100B在200 ℃时的 ... dissipation, the maximum junction temperature of the power MOSFET field effect transistor is abo...
... 焊接的效果.The power supply based on MOSFET for electron beam deflection scan has been developed ... circuit had been analyzed.The drive waveform of MOSFET,the output current waveform,multiple beam welding effect ...
... 效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在 ... 效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的 ...
... 具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引 ... 开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统 ... 如要了解有关罗姆新型SiC-MOSFET器件和直接订购选项的更多 ...
