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... 晶体管的复合器件。它既有MOSFET 易驱动的特点，又具有功率 ... 大等优点。其频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常工作 ...
... 集成了40V 耐压\18m Ω 内 阻MOSFET 的同步整流二极管，用于替换反 ... 的转换效率 。 IC 通过检测集成 MOSFET 的源漏电压来决定其开关 ... 激转换器 内部集成 18 m Ω 40V MOSFET 最大 10 0kHz 开关频率 采用 SOP8 ...
... 采用通态电阻极低的电力 MOSFET来取代整流二极管，能大大降低 ... 的原理图着手，介绍了电力 MOSFET的反向电阻工作区及同步整流 ... 了分析关键词：同步整流；电力 MOSFET低电压输出0引言Dc/DC变换 ...
... 中心的6个N沟道的MOSFET管组成的三相全桥逆变电路，仅对上桥臂功率MOSFET管进行PWM调制的控制方式。 ... 控制N沟道的功率驱动管MOSFET的开关，由此驱动无刷直流 ...
... 基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但性能得到了显著提升 ... 减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在，输入结构能够直接处理 ...
... 。IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动 ... 大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作 ...
... 通道AD技术对多路并联的MOSFET上的电压及各支路电流进行 ... 监测，控制工作在线性状态的MOSFET上的电流，以实现电子负载 ... 电阻4个功能。详细研究了MOSFET寄生电容引起的自激振荡及 ...
对于大电流设计，用MOSFET替代二极管，以提高效率。这种 ... 关系选择合适的拓扑。选择MOSFET• 额定电压和额定电流• 开关频率(fsw ... 、输入电压(Vin)越高，要求MOSFET的栅极电荷(Qg)越低，以 ...
... 在各种应用中测试和评估SiC MOSFET。此设计取代了本应用笔记 ... 更大的MOSFET或以更高的频率驱动更小的MOSFET。•蠕变 ...
... ），以使用新的900V Gen3 MOSFET（P / N C3M0065090D）。 只需 ... 由于Gen2（ 20 / -5）和Gen3 MOSFET（ 15 / -3V）之间的栅极驱动 ... ，以正确驱动新的CREE Gen3 MOSFET。 请参考套件用户手册中 ...
