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在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以
家有两宝呀:为什么MOSFET可能会面临反向电压问题？如果没有反并联二极管，这样的反向电压可能导致MOSFET的反向导通，会破坏器件。为什么会面临这个问题呢？
... n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、 ... 栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM） ...
... 系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件 ... 所采用新的优化工艺提高了 MOSFET 的整体鲁棒性。体二极管 ...
... / OTCQX代码： IFNNY）推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装 ... 情况 首批采用SSO10T的40 V汽车MOSFET产品现已上市，分别是：IAUCN04S6N007T ...
场效应管(MOSFET)_SI7415DN-T1-GE3_规格书
... 激电源，拓扑图如下。选用的MOSFET是1700V的，在输入电压为 ... 60%切换到100%时，上管MOSFET就会被击穿。电流也很 ...
... 多的是geehy的MCU）和MOSFET。在传统的MOS管中， ... 管处于截止状态。与传统的MOSFET相比，不带体二极管的MOS ...
