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... .XT扩散焊技术的CoolSiC MOSFET单管 增强型CoolSiC MOSFET 1200 V充分利用了基于 ... 设计，英飞凌CoolSiC MOSFET与竞品SiC MOSFET之间没有显著差异，二者 ... 散热和功率损耗——英飞凌CoolSiC MOSFET IMZA120R020M1H较之于主要竞争对手的器件 最后 ...
... ://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/automotive-mosfet/iaut300n08s5n012/ [5] mathworks.com/help/physmod ...
... 匹配 通态电阻 R DS(on)是 MOSFET 的基本参数之一。它会影响 ... 必要将所有 MOSFET 的热量均等地散发出去。 各种不平衡 当 MOSFET 打开时 ... 导致误点火或 MOSFET 工作中断。但是，一般而言，SiC MOSFET 的并联连接不 ...
... 损耗以及 SiC MOSFET 器件之间相关的 dv/dt 开关瞬态。 碳化硅 MOSFET 应用 快速 ... 设计相比，SiC MOSFET 可以显着提高驱动器的性能。 SiC MOSFET 支持更高 ...
... MOSFET供给有限的情况下，寻找替代产品成MOSFET市场主旋律。国内有哪些MOSFET ... 了以下国内主要MOSFET厂商上半年的业绩： 华润微 中国MOSFET市场中排名 ... 拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品 ...
... MOSFET的工作电流非常大，MOSFET就会工作在线性区，这就要求MOSFET ... 触发寄生三极管，对功率MOSFET产生危害。 功率MOSFET在线性区工作时， ... 线性区工作特性的功率MOSFET。同时系统要求MOSFET具有低导通阻抗， ...
... 2. 功率MOSFET的输入电容 图3. 功率MOSFET的输出电容 图4. 功率MOSFET的反向 ... 了由4200A生成的MOSFET的电容特性数据。 图13. MOSFET扫描到200V的 ...
... ，Vth较低的2号MOSFET与1号MOSFET之间的总功率损耗差 ... 结果，具有相同Vth值的MOSFET并联时，MOSFET外部驱动速度的快慢是 ... 电容（Ciss）的MOSFET的开通时刻将比另一个MOSFET延迟，这会 ... 相反的影响。如果一个MOSFET的Ciss高于其他并联MOSFET的Ciss，其Eon ...
... 小的MOSFET，在大电流的应用里，MOSFET的损耗我们与MOSFET内阻成 ... 下，单个MOSFET可靠性会高于并联MOSFET，在大电流应用里MOSFET并联可靠性会好一些。因为大部分MOSFET在 ...
