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... 带有反向极性的电压。在切断MOSFET时，这个电压可能导致较长 ... 的通道，可以更快地切断MOSFET。慢醇:确实，漏极和 ... 极性的电压，这可能在切断MOSFET时引起问题。通过反并联二极管 ... 的通道，从而更快地切断MOSFET，有效减少关断时间。这 ...
... jf101:目前的MOSFET提供哪些封装？芯源的Mosfet封装有TO-220、TO ... AdaMaYun:芯源的Mosfet种类还是挺齐全的OKAKAKO:芯源的Mosfet封装适用场景挺多的LOVEEVER:芯原mosfet最大电流 ...
... 解决方案是门级驱动芯片+功率MOSFET的架构。对于三相无刷直流 ... 电路板上去掉6个大块头的功率MOSFET，这种优势带来的前景不言而喻。 ... 把门级驱动电路和6个功率MOSFET合二为一，完美解决了传统方案的 ... 50V耐压，5A输出电流的MOSFET和相应的驱动电路。不仅如此， ...
... 。结果显示，噪声与MOSFET动作同步，将MOSFET的漏极和接地的 ... 为源极的TO-247MOSFET。在MOSFET切换动作时,漏极相对于源 ... 。图1——EMI测量比较——GaN与MOSFET（来源：BuroSpringett）与初次测量 ...
... 解说'gt;01.导通电阻(Ron)MOSFET启动(ON)时漏极与源极 ... 极为正的电压而导通的MOSFET。与PchMOSFET相比，由于NchMOSFET具有 ... 受欢迎。03.splitgate一种将MOSFET的栅极分为多段以有效调整 ...
... 达到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬 ... 系统和电动汽车充电应用。CoolSiC™MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅 ... LLC和ZVS，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动 ...
... szt1993:查看芯源的MOSFET相关的选型发现N沟道的 ... 道的MOSFET呢？zhoupxa:P沟道MOSFET是空穴导电，N沟道MOSFET是 ... 通电阻等），P沟道MOSFET比N沟道成本要高很多 ...
... 背景下，VBsemi推出的VBGE2104N型号MOSFET应运而生。这款基于先进屏蔽栅 ... 的独特价值。VBsemi的VBGE2104N型号MOSFET凭借其高性能特性（如低导 ... 覆盖广泛，涵盖各电压硅基MOSFET、SiCMOSFET、SGTMOSFET与IGBT等等， ...
... Bowclad:如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通？Wordsworth:需要注意的是， ... 管同时导通，造成短路烧毁MOSFET。Pulitzer:如果PWM频率较高， ... 使用Break机制，防止异常情况下MOSFET直通。Uriah:STM32的高级定时器 ...
... 提高了电气性能。与之前的MOSFET型号相比，CoolMOS™8SJMOSFET的栅极电荷 ... 600VCoolMOS™8SJMOSFET系列是一种“全集成MOSFET”技术，可满足工业和消费应用 ... （WBG）产品组合。该系列MOSFET采用SMD-QDPAK、TOLL和ThinTOLL-8x8 ...
