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... 。H桥电路:包括四个MOSFET或IGBT,用于逆变器的 ... 驱动电路:用于驱动H桥的MOSFET或IGBT,例如使用栅极驱动芯片 ...
... 屏蔽栅沟槽MOSFET)的区别:结构与设计:沟槽型MOSFET的结构较为 ...
... 输出MOSFETTB67H450FNG采用低导通电阻的MOSFET(高侧+低侧=0.6Ω典型 ... 且高效的解决方案。内置MOSFET和多种操作模式使设计师能够创造 ...
... SOAMOSFETNexperia近期发布的NextPower80V和100V优质MOSFET提供显著改善的RDS(on)值, ... 性能取决于热稳定性,数据手册上MOSFET的SOA性能曲线是在25°C ...
... 片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)荣膺年度功率半导体产品奖( ... 2023年3月推出了全新专用MOSFET(ASFET)系列,专为热 ...
... 低RDS(ON):RDS(ON)是指MOSFET(包括NMOS)在导通状态 ... 越好。RDS(ON)影响着功率MOSFET的导通损耗和温升,较 ...
... 适用于直接驱动小型IGBT或功率MOSFET。高速性能:TLP152提供190ns( ... 器电路中提供强大的性能。MOSFET和IGBT栅极驱动器:适用于驱动 ...
... 其抗击穿性,即当功率MOSFET在反向偏置时,受漏 ... 被引发雪崩式倍增,导致功率MOSFET雪崩击穿的能力。抗雪崩能力 ...
... 电阻、电容、二极管、三极管、MOSFET等等基础的零件特性搞起, ... 。举个例子,好多人使用MOSFET都是不太清楚其特性, ...